[实用新型]半导体存储器

权利要求书

1.一种半导体存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底包括形成在所述衬底中的多个有源区、隔离各所述有源区的浅沟槽隔离结构、部分形成在所述有源区中的多条字线、以及部分形成在所述有源区上且位于两条所述字线之间的多个位线结构；

第一接触层，形成于相邻所述位线结构之间所述浅沟槽隔离结构两侧的有源区上，每侧所述第一接触层的截面包括L型，所述第一接触层包括覆盖所述有源区的底部，和覆盖所述位线结构侧壁的侧部；

第二接触层，形成于所述第一接触层的底部上且覆盖所述侧部的侧壁，其中，所述第二接触层的刻蚀速率小于所述第一接触层的刻蚀速率；

接触间隔结构，形成于所述浅沟槽隔离结构上方并位于所述第一接触层和所述第二接触层之间的空间，以间隔单元接触。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述接触间隔结构包括：

第一间隔层，形成于所述浅沟槽隔离结构上方，所述第一间隔层覆盖所述第一接触层的底部侧壁、以及所述第二接触层的侧壁，其中，所述第一间隔层的厚度小于所述浅沟槽隔离结构的宽度的1/2，以使所述第一间隔层具有开口；以及

第二间隔层，形成于第一间隔层上，用于填充所述第一间隔层的开口；

所述单元接触包括所述第一接触层、所述第二接触层及金属接触层，所述金属接触层形成于所述第一接触层顶部和所述第二接触层顶部，且所述金属接触层的顶端与所述第一间隔层顶端和第二间隔层顶端对齐。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器，其特征在于，所述第一接触层的材料包括高浓度掺杂多晶硅，所述第二接触层的材料包括低浓度掺杂多晶硅。

4.根据权利要求1、2或3所述的半导体存储器，其特征在于，所述第二接触层的电阻高于所述第一接触层的电阻。