[实用新型]一种GaN外延晶片界面热阻的测量装置有效
| 申请号： | 201820811501.1 | 申请日： | 2018-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN208297403U | 公开（公告）日： | 2018-12-28 |
| 发明（设计）人： | 孙华锐;刘康;周岩 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | G01N25/20 | 分类号： | G01N25/20 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超;罗尹清 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 界面热阻 外延晶片 本实用新型 测量装置 波长 凸透镜 紫外脉冲激光器 二向色分光镜 紫外脉冲激光 带通滤波片 镀金属薄膜 光电探测器 连续激光器 瞬态热反射 加热激光 聚焦物镜 连续激光 器件加工 探测激光 半透镜 换能器 透镜组 紫外线 共轴 测量 | ||
1.一种GaN外延晶片界面热阻的测量装置，其特征在于，包括：紫外脉冲激光器、连续激光器、透镜组、二向色分光镜、紫外线聚焦物镜、光电探测器；其中，
紫外脉冲激光器用于产生紫外脉冲激光；
连续激光器用于产生连续激光；
透镜组用于将紫外脉冲激光扩束；
二向色分光镜用于将扩束后的紫外脉冲激光和连续激光合束并共轴，所述二向色分光镜与其所在平面成45°角入射的紫外脉冲激光为全透射，所述二向色分光镜与其所在平面成45°角入射的连续激光为全反射；
紫外线聚焦物镜用于将所述共轴的紫外脉冲激光和连续激光汇聚到待测GaN外延晶片上；
光电探测器用于接收从待测GaN外延晶片表面反射回来的光信号，再由示波器显示。
2.根据权利要求1所述的GaN外延晶片界面热阻的测量装置，其特征在于，所述紫外脉冲激光波长为355nm。
3.根据权利要求1所述的GaN外延晶片界面热阻的测量装置，其特征在于，所述连续激光波长为325nm。
4.根据权利要求1所述的GaN外延晶片界面热阻的测量装置，其特征在于，所述透镜组将紫外脉冲激光扩束至紫外脉冲激光的光斑比连续激光的光斑大至少一个数量级，所述扩束后的紫外脉冲激光的光斑半径为70~90μm。
5.根据权利要求1所述的GaN外延晶片界面热阻的测量装置，其特征在于，还包括：半透镜、带通滤波片、凸透镜；其中，
半透镜用于透射和反射从待测GaN外延晶片表面反射回来的紫外脉冲激光和连续激光；
带通滤波片用于滤掉紫外脉冲激光；
凸透镜用于将所述滤掉紫外脉冲激光的光信号聚焦到光电探测器。
6.根据权利要求1所述的GaN外延晶片界面热阻的测量装置，其特征在于，还包括：CCD相机；所述CCD相机用于实时监测GaN外延晶片表面的紫外脉冲激光与连续激光的光斑。
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