[实用新型]一种自动出料的系统

说明书

本实用新型提出了一种自动出料的系统，用于含硅薄膜的制备，包括：第一机械手、反应炉、控制器、与所述的控制器相连接的温度传感器，所述的温度传感器设置于所述的反应炉中，所述的控制器能控制所述的机械手的运转或停止，所述的第一机械手用于抓取所述的反应炉中的含硅薄膜成品于预设位置。实施本实用新型的技术方案中，通过自动取出含硅薄膜的成品，解放了人力，实现了自动化生产和无人管理。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体材料领域，特别涉及一种自动出料的系统。

背景技术

含硅薄膜，包括：氧化硅薄膜、碳化硅薄膜、氮化硅薄膜等材料具备许多优异的性能，如高熔点、高硬度、强稳定性、低膨胀系数、良导热性、强抗热震性及优良的光学性能等，其中，氮化硅块材料及其薄膜能广泛应用于光电子、微电子、机械加工、化学工业、太阳能电池、航空航天及集成电路等行业。

随着薄膜应用的普及，薄膜制备的技术也成为了高新加工技术中的重要部分。目前，比较普及的氮化硅薄膜的制备方法有等离子体化学气相沉积(PECVD) 和低压化学气相沉积(LPCVD)法两种方法，其中LPCVD法生产的膜密度更高、纯度更高、物理化学特性更优良。

实现含硅薄膜的批量自动化出料，以便进行下一步的生产，成为摆在人们面前的一道课题。

实用新型内容

为了解决以上的问题，本实用新型提供一种自动出料的系统。

本实用新型的技术方案是这样实现的：

本实用新型公开了一种自动出料的系统，用于含硅薄膜的制备，包括：第一机械手、反应炉、控制器、与所述的控制器相连接的温度传感器，所述的温度传感器设置于所述的反应炉中，所述的控制器能控制所述的第一机械手的启动或停止，所述的第一机械手用于抓取所述的反应炉中的含硅薄膜于预设位置。

进一步地，所述的含硅薄膜厚度为400nm～780nm。

进一步地，所述的控制器包括控制面板及微处理器，在所述的控制面板上设置与所述的微处理器相连接的启动第一机械手的按钮及停止第一机械手的按钮，所述的微处理器与所述的第一机械手的驱动电路相连。

进一步地，所述的反应炉具有可闭合密封或打开的开口，所述的开口与所述的第一机械手对应设置，以方便取出所述的含硅薄膜。

进一步地，所述的预设位置为容纳盒。

进一步地，所述的系统还包括第二机械手、传送带、电机，所述的电机驱动所述的传送带运转，所述的第一机械手将所述的含硅薄膜投放于所述的传送带的始端，设置于所述的传送带的末端的第二机械手将传送过来的含硅薄膜投入到所述的容纳箱中。

实施本实用新型的一种自动出料的系统，具有以下有益的技术效果：

本技术方案可自动取出含硅薄膜的成品，解放了人力，实现了自动化生产和无人管理。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的实施例的自动出料的系统部分结构示意图；

图2为本实用新型的实施例的自动出料的系统模块示意图。

具体实施方式