[实用新型]一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置有效

专利信息
申请号: 201820897772.3 申请日: 2018-06-11
公开(公告)号: CN208545485U 公开(公告)日: 2019-02-26
发明(设计)人: 洪明;陈飞鹏;骆水连;刘强;魏广;秦丽丽;李亚丽;夏成明 申请(专利权)人: 兰州空间技术物理研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/54
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 张洁;仇蕾安
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要:
搜索关键词: 支撑部件 磁控溅射阴极 磁轭 本实用新型 磁场均匀性 矩形平面 微调装置 永磁体 磁控溅射镀膜设备 磁场分布 磁控溅射 方便调节 不均匀 穿过 室内
【权利要求书】:

1.一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置,其特征在于:所述装置包括永磁体(1)、磁轭(2)、微调装置(3)和支撑部件(4);所述永磁体(1)固定在磁轭(2)上,支撑部件(4)与磁控溅射腔室壁固定,支撑部件(4)上开设有孔,微调装置(3)穿过支撑部件(4)上的孔与磁轭(2)接触。

2.如权利要求1所述的一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置,其特征在于:所述微调装置(3)为旋转式微调装置。

3.如权利要求1所述的一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置,其特征在于:所述微调装置包括上固定件(31)、上固定螺丝(32)、下固定螺丝(33)、下固定件(34)和旋转微调部件(35);上固定件(31)通过上固定螺丝(32)与磁轭(2)固定,下固定件(34)通过下固定螺丝(33)与支撑部件(4)固定,旋转微调部件(35)穿过支撑部件(4)与磁轭接触。

4.如权利要求1所述的一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置,其特征在于:所述微调装置(3)为多点式连接,均匀分布在磁轭(2)的中心和边沿处。

5.如权利要求1所述的一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置,其特征在于:所述微调装置(3)平行于磁轭(2)矩形平面方向呈多排分布。

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