[实用新型]一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置有效
申请号: | 201820897772.3 | 申请日: | 2018-06-11 |
公开(公告)号: | CN208545485U | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 洪明;陈飞鹏;骆水连;刘强;魏广;秦丽丽;李亚丽;夏成明 | 申请(专利权)人: | 兰州空间技术物理研究所 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/54 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 张洁;仇蕾安 |
地址: | 730000 甘*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 支撑部件 磁控溅射阴极 磁轭 本实用新型 磁场均匀性 矩形平面 微调装置 永磁体 磁控溅射镀膜设备 磁场分布 磁控溅射 方便调节 不均匀 穿过 室内 | ||
本实用新型属于磁控溅射镀膜设备领域,具体涉及一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置,所述装置包括永磁体、磁轭、微调装置和支撑部件;所述永磁体固定在磁轭上,支撑部件固定在磁控溅射腔室内,支撑部件上开设有孔,微调装置穿过支撑部件上的孔与磁轭接触。本实用新型所述装置克服了现有磁控溅射阴极靶磁场分布不均匀,不方便调节的问题;且结构简单,易于安装。
技术领域
本实用新型属于磁控溅射镀膜设备领域,具体涉及一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置。
背景技术
从上世纪八十年代以来,采用磁控溅射物理气象沉积技术制备功能薄膜已经发展为工业镀膜生产中最主要的技术之一。为了提高靶材利用率,膜层沉积速率和放电过程稳定性,必须对溅射系统进行整体的优化设计,其中磁控溅射阴极靶的设计最为关键。增加磁场均匀性能够增加靶面剥蚀的均匀性,提高靶材利用率,从而延长靶的寿命;同时,合理的磁场分布还能够有效提高溅射过程的稳定性。对平面阴极靶来说,磁场由条形永磁体阵列产生,每条永磁体需要保证磁场强度、尺寸参数完全一致。由于目前加工技术的限制,实际应用中常会表现出磁场分布不均匀的问题,影响沉积薄膜的质量。为了改善磁场均匀性,现有的方法是在永磁体下方增加或减少垫片,改变永磁体位置,达到调节磁场均匀的目的。但是这种方法需要将阴极靶整体或局部拆开,操作复杂,效率低,而且通过增加或较少垫片的方式无法实现连续调节,难以调节到最佳位置。因此,设计一种能够简单、连续调节磁场强度的装置具有重要的意义。
发明内容
为克服现有矩形平面磁控溅射阴极靶磁场不均匀的缺陷,本实用新型的目的在于提供一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置。
为实现上述目的,本实用新型的技术方案如下。
一种提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性装置,所述装置包括永磁体、磁轭、微调装置和支撑部件;所述永磁体固定在磁轭上,支撑部件与磁控溅射腔室壁固定,支撑部件上开设有孔,微调装置穿过支撑部件上的孔与磁轭接触。
进一步的,所述微调装置为旋转式微调装置。
进一步的,所述微调装置包括上固定件、上固定螺丝、下固定螺丝、下固定件和旋转微调部件;上固定件通过上固定螺丝与磁轭固定,下固定件通过下固定螺丝与支撑部件固定,旋转微调部件穿过支撑部件与磁轭接触。
进一步的,所述微调装置为多点式连接,均匀分布在磁轭的中心和边沿处。
进一步的,所述微调装置平行于磁轭矩形平面方向呈多排分布。
当支撑部件固定,调节微调装置时,微调装置带动磁轭以及固定在磁轭上的磁铁移动,实现局部磁场强度的调节;最终实现提高矩形平面磁控溅射阴极靶磁场均匀性的目的。
有益效果
本实用新型所述装置克服了现有磁控溅射阴极靶磁场分布不均匀,不方便调节的问题;本实用新型所述装置结构简单,易于安装。
附图说明
图1是本实用新型所述装置结构主视图;
图2是本实用新型所述装置结构左视图;
图3为本实施实例中微调装置结构示意图。
1-永磁体,2-磁轭,3-微调装置,4-支撑部件,31-上板固定件,32-上板固定螺丝,33-下板固定螺丝,34-下板固定件,35-旋转微调部件。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行详细说明。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于兰州空间技术物理研究所,未经兰州空间技术物理研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820897772.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种防尘密封气动旋转引弧装置
- 下一篇:磁控溅射装置以及具有其的磁控溅射系统
- 同类专利
- 专利分类