[实用新型]一种端面处理装置

说明书

本实用新型公开了一种端面处理装置，包括按样品处理工艺依次连通的进样腔、预处理腔、解理腔和钝化腔，以及用于传送样品的第一传送机构、第二传送机构和第三传送机构；进样腔、预处理腔和第一传送机构均设置有两个，能够满足两轮样品分别存放的要求，在上一轮样品处理过程中可以进行下一轮样品的加热烘烤，节省了两轮工艺间的等待时间，显著缩短系列工艺过程中的时间成本，提升整机使用效率，提高设备产能。两个进样腔结构相同，均包括腔体、样品台和进样加热装置，通过进样加热装置对样品进行高温烘烤，可以去除样品上依附的空气中的水汽和杂质，减少外界环境杂质对真空腔室的污染。

技术领域

本申请属于半导体光电子技术领域，具体涉及一种对半导体激光器芯片进行解理钝化处理的端面处理装置。

背景技术

半导体激光器在生产和使用中，其光学元件部分会出现退化现象。退化现象会影响半导体激光器的寿命和使用的稳定性。为了降低半导体激光器腔面污染给激光器带来损伤，需要采用端面处理装置在半导体腔面生成钝化层。

如图1所示，现有的端面处理装置一般包括进样腔、预处理腔、解理腔和钝化腔，进样腔可容纳一个样品台，样品台里装载规定数量的激光芯片样品，预处理腔，作为真空缓冲区域，解理腔进行解理工艺，钝化腔进行钝化工艺。由第一传送机构将样品从进样腔传送至预处理腔；第二传送机构将样品从预处理腔传送至解理腔；第三传送机构将样品从解理腔传送至钝化腔。完整工艺流程为样品从大气进入进样腔中，由第一传送机构传送至预处理腔，由第二传送机构传送至解理腔完成解理工作，由第三传送机构传送至钝化腔完成钝化工艺，然后原路返回至进样腔取出处理后的样品。

现有的端面处理装置存在以下问题：1、由于端面处理设备为超高真空处理设备，样品从大气中进入真空环境中，会破坏端面处理设备的真空环境；2、端面处理装置单次工艺只允许单向传输操作，整个产品工艺过程中，需要等待的时间较长。

发明内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种端面处理设备，内部真空性好并且处理激光芯片样品时整个工艺过程中等待时间短。

实现本实用新型目的所采用的技术方案为，一种端面处理装置，包括按样品处理工艺依次连通的进样腔、预处理腔、解理腔和钝化腔，以及用于传送所述样品的第一传送机构、第二传送机构和第三传送机构；所述第一传送机构设置于所述进样腔与所述预处理腔中；所述第二传送机构设置于所述预处理腔与所述解理腔中；所述第三传送机构设置于所述解理腔与所述钝化腔中；

所述进样腔、所述预处理腔和所述第一传送机构均设置有两个，所述第二传送机构设置于两个所述预处理腔与所述解理腔中；

两个所述进样腔结构相同，均包括腔体、样品台和进样加热装置；

所述腔体上开设有进样通口，所述进样通口上安装有腔门，所述样品台和所述进样加热装置均设置于所述腔体中。

优选的，所述端面处理装置还包括4套抽真空装置，4套抽真空装置中：

1套所述抽真空装置分别连接两个所述进样腔；

1套所述抽真空装置分别连接两个所述预处理腔；

剩余2套所述抽真空装置分别与所述解理腔和所述钝化腔一一对应连接。

优选的，连通所述进样腔与所述预处理腔的管路上，连通预处理腔与所述解理腔的管路上，以及连通所述解理腔与所述钝化腔的管路上均安装有阀门。

优选的，所述预处理腔、所述解理腔和所述钝化腔的真空度均高于所述进样腔的最大真空度。

优选的，所述腔体上还开设有抽真空通口，所述抽真空通口上安装有抽真空管道，所述抽真空管道连通至所述进样腔对应的所述抽真空装置。

优选的，所述腔体上还开设有回压通口，所述回压通口上安装有回压管道，所述回压管道连通至一供气装置。