[实用新型]一种MOS管的驱动增强电路

权利要求书

1.一种MOS管的驱动增强电路，包括驱动信号输入单元（10）、信号隔离单元（20）、缓冲处理单元（30）和MOS组件单元（40），所述驱动信号输入单元（10）包括第一电阻（R1）和第一电容（C1），所述信号隔离单元（20）包括第一输出引脚（4）、第二输出引脚（5）和第三输出引脚（6），所述第二输出引脚（5）依次通过第二电阻（R2）、第三电阻（R3）与所述MOS组件单元（40）的基极（G）相连接，所述第一输出引脚（4）和所述第三输出引脚（6）之间连接有第二电容（C2），所述MOS组件单元（40）的发射极和地信号（GND_UP）连接，所述缓冲处理单元（30）还包括第四电阻（R4）和第四电容（C4），所述第四电阻（R4）的一端与所述地信号（GND_UP）连接，另一端与所述MOS组件单元（40）的基极相连接，所述第四电容（C4）的一端与所述地信号（GND_UP）连接，另一端与所述MOS组件单元（40）的基极相连接，其特征在于，所述驱动信号输入单元（10）还包括第二三极管（Q2）和第五电阻（R5），所述第二三极管（Q2）和所述第五电阻（R5）串联连接在所述第一电容（C1）和所述第一电阻（R1）之间，所述第五电阻（R5）的一端与所述第一电容（C1）连接，另一端与所述第二三极管（Q2）的基极相连接；所述第二三极管（Q2）的集电极与电源正极（+5V）相连接，所述第二三极管（Q2）的发射极与所述第一电阻（R1）相连接。

2.根据权利要求1所述的MOS管的驱动增强电路，其特征在于，所述第二三极管（Q2）是NPN三极管。

3.根据权利要求1或2所述的MOS管的驱动增强电路，其特征在于，所述缓冲处理单元（30）还包括MOS驱动器（U2），所述MOS驱动器（U2）的第二输入端（22）和第四输入端（24）并联、然后连接至所述信号隔离单元（20）的第二输出引脚（5），所述MOS驱动器（U2）的第一输入端（21）和第四输出端（28）悬空，所述MOS驱动器（U2）的第三输入端（23）接所述地信号（GND_UP），所述MOS驱动器（U2）的第一输出端（25）和第三输出端（27）并联、然后连接至所述第二电阻（R2），所述MOS驱动器（U2）的第二输出端（26）接电源信号（+20V_UP）。

4.根据权利要求3所述的MOS管的驱动增强电路，其特征在于，所述MOS驱动器（U2）的型号为IXDN604SIA。