[实用新型]一种MOS管的驱动增强电路

说明书

本实用新型专利公开了一种MOS管的驱动增强电路，包括驱动信号输入单元、信号隔离单元、缓冲处理单元和MOS组件单元，在驱动信号输入单元增加了第二三极管和第五电阻，在缓冲处理单元增加了增强型的双通道的超快速MOS驱动器U2，该增强之后的驱动电路，较常规的MOS管的驱动电路，具有驱动增强功能，适用20kHz以上驱动信号的工作。

技术领域

本实用新型适用于电力电子领域，特别是需要用到驱动MOS开关动作的驱动电路，尤其是涉及光伏逆变器产品的应用。

背景技术

MOS管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。无论N型或者P型MOS管，其工作原理本质是一样的。MOS管是压控元件，通过加在输入端门极的电压来控制输出端源极的电流，只要达到门级开通阈值电压，MOS管就导通，低于门级阈值电压，MOS就关断。所以MOS在电力电子行业被广泛应用。

实用新型内容

目前常规的MOS管的驱动，一般采用如图2示的电路。由于驱动电路输入信号UP_PWM一般为PWM脉冲信号，由CPU发出，直接驱动光耦模块U1的初级，驱动能力一般在几十mA，存在光耦初级侧驱动能力不高、光耦的导通不彻底隐患，难以支持较高的PWM脉冲开关频率。目前此类电路对应PWM脉冲及MOS的开关频率仅在20kHz以下。而驱动MOS的光耦目前市场上一般次级输出电流最大在2~3A。为了保证MOS在更高的开关频率下正常工作，对应MOS的驱动电流需进一步加大，因此本实用新型增加了MOS管的驱动增强电路，适用20kHz以上驱动信号的工作。

本实用新型专利公开了一种MOS管的驱动增强电路，包括驱动信号输入单元、信号隔离单元、缓冲处理单元和MOS组件单元，驱动信号输入单元包括第一电阻和第一电容，信号隔离单元包括第一输出引脚、第二输出引脚和第三输出引脚，第二输出引脚依次通过第二电阻、第三电阻与MOS组件单元的基极相连接，第一输出引脚和第三输出引脚之间连接有第二电容，MOS组件单元的发射极和地信号连接，缓冲处理单元还包括第四电阻和第四电容，第四电阻的一端与地信号连接，另一端与MOS组件单元的基极相连接，第四电容的一端与地信号连接，另一端与MOS组件单元的基极相连接，驱动信号输入单元还包括第二三极管和第五电阻，第二三极管和第五电阻串联连接在第一电容和第一电阻之间，第五电阻的一端与第一电容连接，另一端与第二三极管的基极相连接；第二三极管的集电极与电源正极相连接，第二三极管的发射极与第一电阻相连接。

优选地，第二三极管是NPN三极管。

优选地，缓冲处理单元还包括MOS驱动器，MOS驱动器的第二输入端和第四输入端并联、然后连接至信号隔离单元的第二输出引脚，MOS驱动器的第一输入端和第四输出端悬空，MOS驱动器的第三输入端接所述地信号，MOS驱动器的第一输出端和第三输出端并联、然后连接至第二电阻，MOS驱动器的第二输出端接电源信号。

优选地，MOS驱动器的型号为IXDN604SIA。

与常规的MOS管的驱动电路相比，在驱动信号输入单元和缓冲处理单元增加了增强电路，该增强之后的驱动电路，较常规的MOS管的驱动电路，具有驱动增强功能，适用20kHz以上驱动信号的工作。

附图说明

图1为采用MOS管的驱动电路的功能示意图；

图2为常规MOS管的驱动电路；

图3为根据本实用新型的一个实施例的MOS管的驱动增强电路。

附图标记：

10 驱动信号输入单元 20 信号隔离单元

30 缓冲处理单元 40 MOS组件单元