[实用新型]LDO和POR的复用电路

权利要求书

1.一种LDO和POR的复用电路，其特征在于：包括一放大器、一MOS晶体管及一施密特触发器，所述比较器连接所述MOS晶体管、及连接所述施密特触发器，所述比较器还连接第一电阻和第二电阻之间的公共端，所述MOS晶体管连接所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端为所述一电阻和所述第二电阻之间的公共端。

2.如权利要求1所述的LDO和POR的复用电路，其特征在于：所述MOS晶体管为N型MOS晶体管。

3.如权利要求1或2所述的LDO和POR的复用电路，其特征在于：所述施密特触发器为正相施密特触发器。

4.如权利要求3所述的LDO和POR的复用电路，其特征在于：所述比较器的正向输入端作为Vref端，所述比较器的反向输入端连接第一节点，所述第一节点为所述第一电阻和所述第二电阻之间的公共端。

5.如权利要求4所述的LDO和POR的复用电路，其特征在于：所述MOS晶体管的源极与所述第一电阻之间的公共端作为第二节点、并作为输出电压端，所述第二节点连接所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端连接所述第一节点。

6.如权利要求5所述的LDO和POR的复用电路，其特征在于：所述第一节点连接所述第二电阻的一端，所述第二电阻的另一端接地。

7.如权利要求6所述的LDO和POR的复用电路，其特征在于：所述MOS晶体管的漏极连接电源电压，所述MOS晶体管的栅极连接所述比较器的输出端，所述MOS晶体管的栅极还连接所述施密特触发器的输入端，所述施密特触发器的输出端作为POR端输出。