[实用新型]LDO和POR的复用电路

说明书

本实用新型提供一种LDO和POR的复用电路，涉及电子电路技术领域。所述LDO和POR的复用电路包括一放大器、一MOS晶体管及一施密特触发器，所述比较器连接所述MOS晶体管、及连接所述施密特触发器，所述比较器还连接第一电阻和第二电阻之间的公共端，所述MOS晶体管连接所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端为所述一电阻和所述第二电阻之间的公共端。本实用新型可以进一步降低LDO电路的功耗，整合LDO和POR电路中的共用部分来降低芯片面积。

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，尤其是一种LDO和POR的复用电路。

背景技术

在大规模的数模混合信号集成电路芯片的设计中，由于芯片中存在大量的控制寄存器、状态寄存器等数字单元，当系统刚接入电源时，这些单元的状态是不确定的。这些不确定的状态可能引起芯片的误动作，影响芯片可靠性和稳定性。因此，需要有一种电路，该电路能在系统上电的过程中，为芯片提供一个全局复位信号，确保芯片能从确定的状态启动，该电路就是上电复位电路(Power on Reset，简称POR)。

对于一些混合信号集成电路，往往采用低压差线性稳压器(low dropoutregulator，LDO)为数字部分提供低电源电压。系统电源从上电到稳定状态，大概需要毫秒量级的延迟时间，而LDO需要在供电电压达到一定值时才能输出，对于一些具有较大片外负载电容的LDO，其输出VDD从0至稳定状态，也需要一定的延时时间。数字单元大约在LDO的输出VDD高于稳定值的70％时正常工作。复位信号需要在数字电路开始工作之后提供，一般需要维持两个周期以上，才能实现有效的复位。对于一些在低频时钟下工作的电路，往往需要提供长时间的复位信号，才能保证有效的复位。因此，POR的设计需要合适的复位电压点，合适的复位有效脉宽，且要与上电快慢无关。

现有的串联型LDO结构如图1所示，其包括放大器、1个N型金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管(MOS晶体管)M1和两个电阻。由于复反馈的作用，Vf被钳制在Vref，Vout＝Vf*(R1+R2)/R2。当输出电压Vout变大时，反馈信号Vf也变大，因此放大器的输出信号变小，Id变小，使得输出电压Vout变大，从而达到反馈环路稳定输出电压的作用。反之，当LDO的输出电压Vout变小时，反馈信号Vf也变小，因此放大器的输出变大，Id变大，使得输出电压Vout变大。

现有的POR原理结构如图2所示，其包括比较器，施密特触发器，采样电路和参考电路。当VDD小于互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide-SemiconductorTransistor，CMOS)的阈值电压Vth1时，比较器和施密特触发器不能正常工作，处于关闭状态，此时POR为低电平。当Vdd继续上升时，Vref可以正常工作。V2＝VDD*R2/(R1+R2)，随着VDD的增大而增大。在V2小于Vref，也就是Vt2之前，POR输出都为高电平。当V2超过Vref时，POR降为低电平。这样，在VDD上升过程中就有了一个脉冲电平来给后面的数字电路复位。

在图2中，加入施密特触发器的目的是防止VDD非单调性的上升，防止其在比较器阈值附近的波动，进而影响输出POR波形。

如果采用电压放大器，则一般会采用多级放大器，电流放大器与之相比，只是用了电流镜电路，功耗更低；如果不采用复用的机构，那么LDO和POR模块各自都需要一个参考源，采样模块，比较器，从而需要的电子元件较多。

发明内容

鉴于以上内容，有必要提供一种需要的电子元件较少的LDO和POR的复用电路。

本实施方式提供一种复用电路，包括一放大器、一MOS晶体管及一施密特触发器，所述比较器连接所述MOS晶体管、及连接所述施密特触发器，所述比较器还连接第一电阻和第二电阻之间的公共端，所述MOS晶体管连接所述第一电阻的一端，所述第一电阻的另一端为所述一电阻和所述第二电阻之间的公共端。