[实用新型]半导体结构有效
| 申请号： | 201820948488.4 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN208433413U | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 田武;汪宗武;许文山;孙超 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体结构 掺杂离子 掺杂区域 衬底表面 栅极结构 栅介质层 离子 掺杂 本实用新型 分凝系数 衬底 耗尽 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底；
位于所述衬底表面的栅极结构，所述栅极结构包括位于衬底表面的栅介质层和位于所述栅介质层表面的栅极；
所述栅极包括第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域内掺杂有第一掺杂离子，所述第二掺杂区域掺杂有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子为P型掺杂离子，所述第一掺杂离子能够提高所述P型掺杂离子在所述栅极内的分凝系数。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂离子包括C和Ge中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一掺杂离子分布于所述栅极的各个位置处。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二掺杂离子包括B或BF2中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述栅极结构两侧的衬底内的源极和漏极。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述栅极顶部表面的栅极接触层。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极接触层的材料包括钨硅化物和镍硅化物中的至少一种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820948488.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件
- 下一篇：一种具有承载膜和衬底结构的光电子半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
