[实用新型]一种新型的可实现双面镀膜的电极结构有效
| 申请号： | 201820950391.7 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN208738199U | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 林佳继;庞爱锁;刘群;林依婷 | 申请（专利权）人： | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L31/18;C23C14/50;C23C16/458 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 彭西洋;苏芳 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 舟片 双面镀膜 本实用新型 电极结构 镂空结构 镀膜 可拆卸式连接 设备投入 水平层叠 有效减少 周向边缘 电池片 调节柱 良品率 卡点 竖直 承载 | ||
【权利要求书】：
1.一种新型的可实现双面镀膜的电极结构，其特征在于，包括若干舟片，每一舟片上设有若干镀膜位；所述镀膜位的中部呈镂空结构，镂空结构的周向边缘设有若干卡点用以承载电池片水平放置；所述若干舟片在竖直方向上水平层叠，舟片之间经连接调节柱可拆卸式连接。
2.根据权利要求1所述的新型的可实现双面镀膜的电极结构，其特征在于，所述卡点的顶部设为水平面，且每一镀膜位上的所有卡点的顶部位于同一水平面上。
3.根据权利要求1所述的新型的可实现双面镀膜的电极结构，其特征在于，所述镂空结构呈四边形或圆形，若干卡点在镂空结构的周边边缘均匀分布。
4.根据权利要求3所述的新型的可实现双面镀膜的电极结构，其特征在于，所述卡点数量设置为3～12个。
5.根据权利要求3所述的新型的可实现双面镀膜的电极结构，其特征在于，所述镂空结构的尺寸与电池片尺寸相同。
6.根据权利要求1所述的新型的可实现双面镀膜的电极结构，其特征在于，每一舟片上的镀膜位可设为2～16个。
7.根据权利要求1所述的新型的可实现双面镀膜的电极结构，其特征在于，舟片之间经连接调节柱调节间距，该间距的调节范围为5mm～100mm。
8.根据权利要求1所述的新型的可实现双面镀膜的电极结构，其特征在于，所述舟片采用高纯导电非金属材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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