[实用新型]一种新型的可实现双面镀膜的电极结构有效
申请号: | 201820950391.7 | 申请日: | 2018-06-20 |
公开(公告)号: | CN208738199U | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 林佳继;庞爱锁;刘群;林依婷 | 申请(专利权)人: | 深圳市拉普拉斯能源技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18;C23C14/50;C23C16/458 |
代理公司: | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人: | 彭西洋;苏芳 |
地址: | 518000 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 舟片 双面镀膜 本实用新型 电极结构 镂空结构 镀膜 可拆卸式连接 设备投入 水平层叠 有效减少 周向边缘 电池片 调节柱 良品率 卡点 竖直 承载 | ||
本实用新型公开一种新型的可实现双面镀膜的电极结构,包括若干舟片,每一舟片上设有若干镀膜位;所述镀膜位的中部呈镂空结构,镂空结构的周向边缘设有若干卡点用以承载电池片水平放置;所述若干舟片在竖直方向上水平层叠,舟片之间经连接调节柱可拆卸式连接。本实用新型可实现水平双面镀膜的目的,相较于市场现有工艺,有效减少设备投入,并进一步降低因工序增多而导致的良品率问题。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池或者半导体制造技术领域,尤其涉及一种新型的可实现双面镀膜的电极结构。
背景技术
太阳能行业的发展及市场需求的影响,太阳能电池片产品逐渐走向“高效率、低成本”的发展方向。在这种市场需求影响下,常规的电池产品受到强烈的冲击,新一代高效电池产品逐渐走入工业化量产阶段。随着工业4.0人工智能技术的兴起,半导体设备逐渐成为国家非常急需的战略资源。
无论在半导体还是太阳能电池制造设备中,因传统工艺下不需要对硅片背面进行SiN掩膜的沉积工艺,目前采用的镀膜电极结构只能实现单面镀膜,且电池片需要竖直插片,在电池片插入过程中极易出现电池片划伤导致电池效率降低及在镀膜过程中出现破片造成短路等问题。但高效太阳能电池则需要对硅片正背面均沉积SiN薄膜,传统的镀膜电极结构已不能满足高效电池的生产需求,需要寻找一种有效的可双面沉积掩膜工艺的电池片镀膜电极结构。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种新型的可实现双面镀膜的电极结构,可实现水平双面镀膜的目的,相较于市场现有工艺,有效减少设备投入,并进一步降低因工序增多而导致的良品率问题。
为实现上述目的,采用以下技术方案:
一种新型的可实现双面镀膜的电极结构,包括若干舟片,每一舟片上设有若干镀膜位;所述镀膜位的中部呈镂空结构,镂空结构的周向边缘设有若干卡点用以承载电池片水平放置;所述若干舟片在竖直方向上水平层叠,舟片之间经连接调节柱可拆卸式连接。
较佳地,所述卡点的顶部设为水平面,且每一镀膜位上的所有卡点的顶部位于同一水平面上。
较佳地,所述镂空结构呈四边形或圆形,若干卡点在镂空结构的周边边缘均匀分布。
较佳地,所述卡点数量设置为3~12个。
较佳地,所述镂空结构的尺寸与电池片尺寸相同。
较佳地,每一舟片上的镀膜位可设为2~16个。
较佳地,舟片之间经连接调节柱调节间距,该间距的调节范围为5mm~100mm。
较佳地,所述舟片采用高纯导电非金属材料。
采用上述方案,本实用新型的有益效果是:
1)简化生产步骤,降低工艺难度,水平放片可减少镀膜划伤、提高镀膜均匀性;
2)减少设备投入及人力成本投入,实现高效生产,减少不良品发生率,降低电池生产成本;
3)可以通过调整电极镂空位置的尺寸以匹配不同尺寸硅片或者晶片,兼容性强。
附图说明
图1为本实用新型的立体图;
图2为本实用新型的舟片的结构示意图;
其中,附图标识说明:
1—舟片, 2—连接调节柱,
3—上盖, 4—下盖,
11—镀膜位, 111—卡点,
112—镂空结构。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造