[实用新型]基板研磨装置

说明书

公开一种基板研磨装置，其可以研磨大面积的基板。基板研磨装置包括：基板移送部，其以使得基板的被研磨面朝向上部的状态移送所述基板；以及研磨模块，其设置于所述基板的上部，在与所述基板表面接触的状态下，研磨垫进行旋转及线性移动，从而对所述基板进行研磨。

技术领域

以下实施例涉及一种基板研磨装置，其包括接触于基板表面并旋转的研磨模块。

背景技术

半导体元件的制造需要CMP(chemical mechanical polishing，化学机械研磨)作业，CMP作业包括：研磨和抛光(buffing)及清洗。半导体元件为多层结构的形态，且在基板层形成有具有扩散区域的晶体管元件。在基板层，连接金属线被图案化，并且电连接于形成有功能性元件的晶体管元件。如公知的一样，图案化的导电层通过二氧化硅等绝缘材料与其他导电层绝缘。由于形成更多的金属层和与其相关的绝缘层，从而使绝缘材料平坦的必要性增加。若没有实现平坦化，则由于在表面形态的很多变动，实质上，追加金属层的制造更难。此外，金属线图案由绝缘材料形成，通过基板研磨作业来去除过量金属物。

现有的基板研磨装置作为用于对基板的一面或两面进行研磨、抛光及清洗的构成要素，设置有机械研磨部件，机械研磨部件包括传送带、研磨垫和刷子，利用研磨液溶液内的化学成分来促进及强化研磨作业。

另外，通常，基板研磨装置以如下形式实现研磨：向附着于研磨平板(platen)的研磨垫和安装于载体头的基板之间供给包括研磨粒子的研磨液的同时，随着向同一方向旋转，通过研磨垫和基板之间的相对旋转速度使得基板表面平坦化。

基板的面积逐渐变大，研磨大面积基板时，为了使研磨均匀度适合，众所周知的方式为，将基板载体分割为多个区域并设置柔韧性薄膜，通过向各个区域施加不同的压力来控制研磨量。但是，即使如所述一样对基板载体进行分割，在使得基板的研磨均匀度维持一定并进行控制方面也存在限制，因而需要新的控制研磨量的方式。

另外，随着基板的大小逐渐大面积化，基板的研磨时间增加，并且难以对基板的全面进行均匀的研磨。此外，难以进行向基板研磨装置及基板载体的基板的装载和卸载，从而产生延迟时间并降低生产量(throughput)。

实用新型内容

根据实施例，提供一种基板研磨装置，其用于研磨大面积基板。

实施例中想要解决的课题并非限于如上所提及的课题，没有提及的其他课题，从业者可以从以下记载获得明确的理解。

根据用于实现所述想要解决的课题的实施例，包括研磨模块，在对多个基板进行连续移送的同时，研磨模块在所述基板上部以接触于所述基板表面的状态进行旋转。

根据一个侧面，研磨垫具有比基板的面积小的面积，设置有所述研磨垫的研磨模块以与所述基板表面相接触的状态进行直线移动、轨道旋转中任意一个以上的操作，同时研磨基板。此外，所述研磨模块对所述基板进行连续的研磨，从而易于大面积基板的研磨，且易于管理研磨质量。

如上所述，根据实施例，相对于基板旋转的同时进行线性移动，从而研磨基板，因此可以对大面积基板进行均匀的研磨。

此外，对一张或者多张基板进行连续的移送，因此基板的移送及装载/卸载简单且效率。

此外，设置有面积比基板面积小的研磨垫，因此易于研磨垫的制造及更换。

附图说明

本说明书中所附加的以下附图例示出本实用新型的优选的一个实施例，与实用新型的详细说明一起发挥更进一步理解本实用新型的技术思想的作用，因此，本实用新型不能解释为只限定于所述附图中记载的事项。

图1是表示根据一个实施例的基板研磨装置的主要部分的立体图。

图2是表示根据一个实施例的基板研磨装置的立体图。