[实用新型]一种CIGS太阳能电池组件有效
| 申请号： | 201820965951.6 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN207938622U | 公开（公告）日： | 2018-10-02 |
| 发明（设计）人： | 任明冲 | 申请（专利权）人： | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/04 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 孟德栋 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 本实用新型 前电极层 前电极 电池 本征氧化锌层 光电转换效率 光电转换率 背电极层 材料成本 电池串联 电池组件 复合膜层 内部损耗 制造成本 敷设 电阻率 缓冲层 基材层 吸收层 用料量 电阻 减小 申请 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种CIGS太阳能电池组件，其特征在于：包括由下至上依次敷设的基材层、背电极层、吸收层、缓冲层、本征氧化锌层和前电极层，所述前电极层为ITO层和AZO层形成的复合膜层。
2.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池组件，其特征在于：所述AZO层敷设在本征氧化锌层和ITO层之间。
3.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池组件，其特征在于：所述基材层为玻璃基板或柔性基板。
4.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池组件，其特征在于：所述背电极层为金属Mo层，或金属Cr和Mo混合层。
5.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池组件，其特征在于：所述吸收层为CIGS层。
6.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池组件，其特征在于：所述缓冲层为CdS层。
7.根据权利要求1至6任一项所述的CIGS太阳能电池组件，其特征在于：在所述基材层相对于所述背电极的另一侧敷设有保护层。
8.根据权利要求7所述的CIGS太阳能电池组件，其特征在于：所述保护层为金属Mo层。
9.根据权利要求1所述的CIGS太阳能电池组件，其特征在于：所述复合膜层的厚度为50-400mm。
10.根据权利要求9所述的CIGS太阳能电池组件，其特征在于：所述AZO层的厚度小于所述ITO层的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
