[实用新型]一种CIGS太阳能电池组件有效
申请号: | 201820965951.6 | 申请日: | 2018-06-22 |
公开(公告)号: | CN207938622U | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 任明冲 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/032 | 分类号: | H01L31/032;H01L31/04 |
代理公司: | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人: | 孟德栋 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 本实用新型 前电极层 前电极 电池 本征氧化锌层 光电转换效率 光电转换率 背电极层 材料成本 电池串联 电池组件 复合膜层 内部损耗 制造成本 敷设 电阻率 缓冲层 基材层 吸收层 用料量 电阻 减小 申请 保证 | ||
本实用新型涉及一种CIGS太阳能电池组件。本实用新型提供的CIGS太阳能电池组件,包括由下至上依次敷设的基材层、背电极层、吸收层、缓冲层、本征氧化锌层和前电极层。本实用新型提供的CIGS太阳能电池组件的前电极层由ITO层和AZO层形成的复合膜层,与单独的ITO层作为前电极相比,能够减少ITO层后的厚度,进而降低ITO层的用料量,能够降低材料成本,进而降低整个电池组件的制造成本,同时与单独AZO前电极相比,其电阻率更小,进而能够降低电池串联后的电阻,进而可以减小内部损耗,能够提高电池的光电转换效率;本申请提供的CIGS太阳能电池组件既能够降低生产成本,又能保证电池整体的光电转换率不受影响。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种CIGS(铜铟镓硒)太阳能电池组件。
背景技术
CIGS太阳能电池由多种膜层构成,主要包括金属导电膜,TCO(透明导电氧化物薄膜)膜层,CdS膜,CIGS膜。TCO膜层用的最多的材料是ITO(掺锡氧化铟)和AZO(掺铝氧化锌),目前的TCO层主要是单层TCO为主,TCO做为电极层,不仅光学透过率要高,电阻率要低,还要与其它材料进行接触。
目前主要采用ITO做CIGS的前电极,ITO薄膜的主要成分是氧化铟,铟是稀有金属,而且地球存储量有限,所以价格较高,但是因为成本高,价格昂贵;也有用AZO做前电极的,AZO薄膜主要成分是氧化锌,其价格只有ITO价格的三分之一左右,但是AZO的导电性和透过性差些,AZO的电阻率在E-3Ω.cm,ITO的电阻率在E-4Ω.cm,ITO电阻率要低一个数量级,如果单纯的用AZO作前电极,电池的串联电阻有明显增加,增加电池的内部损耗,所以电池的光电转换效率有明显的下降对电池的光电转换效率有一定的影响。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是:现有的CIGS太阳能电池一般都是用ITO或AZO的单层结构作为前电极,单层的ITO作为前电极价格昂贵,而单层的AZO作为前电极的串联电阻率较高,影响光电转换效率。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种CIGS太阳能电池组件,包括由下至上依次敷设的基材层、背电极层、吸收层、缓冲层、本征氧化锌层和前电极层,所述前电极层为ITO层和AZO层形成的复合膜层。
进一步地,所述AZO层敷设在本征氧化锌层和ITO层之间。
进一步地,所述基材层为玻璃基板或柔性基板。
进一步地,所述背电极层为金属Mo层,或金属Cr和Mo混合层。
进一步地,所述吸收层为CIGS层。
进一步地,所述缓冲层为CdS层。
进一步地,在所述基材层相对于所述背电极的另一侧敷设有保护层。
进一步地,在所述基材层相对于所述背电极的另一侧敷设有保护层所述保护层为金属Mo层。
进一步地,所述复合膜层的厚度为50-400mm。
进一步地,所述AZO层的厚度小于所述ITO层的厚度。
本实用新型的有益效果:本实用新型提供的CIGS太阳能电池组件,包括由下至上依次敷设的基材层、背电极层、吸收层、缓冲层、本征氧化锌层和前电极层,所述前电极层为ITO层和AZO层形成的复合膜层。本实用新型提供的CIGS太阳能电池组件的前电极层由ITO层和AZO层形成的复合膜层,与单独的ITO层作为前电极相比,能够减少ITO层后的厚度,进而降低ITO层的用料量,能够降低材料成本,进而降低整个电池组件的制造成本,同时ITO层与AZO复合膜层与单独AZO前电极相比,其电阻率更小,进而能够降低电池串联后的电阻,进而可以减小内部损耗,能够提高电池的光电转换效率;本申请提供的CIGS太阳能电池组件既能够降低生产成本,又能保证电池整体的光电转换率不受影响。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的