[实用新型]P型晶体硅太阳能电池及光伏组件有效
申请号: | 201820966474.5 | 申请日: | 2018-06-22 |
公开(公告)号: | CN208608205U | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 陈孝业;薛文娟;蒋秀林 | 申请(专利权)人: | 晶澳(扬州)太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18;H01L31/048 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 李海波 |
地址: | 225131 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 光伏组件 背表面 背面钝化层 少数载流子 氧化镓 太阳能电池技术 光电转换效率 本实用新型 正面钝化层 背面电极 光伏发电 化学钝化 输出功率 依次设置 正面电极 场钝化 电成本 发射极 负电荷 硅原子 降低度 悬挂键 复合 | ||
1.一种P型晶体硅太阳能电池,包括依次设置的正面电极(6)、正面钝化层(2)、发射极(3)、P型晶体硅基体(1)、背面钝化层(4)以及背面电极(5),其特征在于,所述背面钝化层(4)包括与所述P型晶体硅基体(1)直接接触的氧化镓层(41)。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述氧化镓层(41)的厚度为1纳米~1000纳米。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述氧化镓层(41)的厚度为2纳米~150纳米。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述背面钝化层(4)还包括设置在所述氧化镓层(41)上的覆盖层(42),所述覆盖层(42)包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、碳化硅层中的至少一种,所述覆盖层(42)的厚度在200纳米以下。
5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述背面电极(5)包括第一电极(51)和第二电极(52),所述第一电极(51)呈线形,所述第二电极(52)设置在所述背面钝化层(4)上位于所述第一电极(51)以外的区域,且所述第二电极(52)与所述第一电极(51)接触;
所述背面钝化层(4)设置有过孔(X),所述第二电极(52)通过所述过孔(X)与所述P型晶体硅基体(1)接触。
6.根据权利要求5所述的太阳能电池,其特征在于,所述第二电极(52)覆盖全部所述背面钝化层(4),或者所述第二电极(52)覆盖部分所述背面钝化层(4)。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述正面钝化层(2)包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、碳化硅层中的至少一种,所述正面钝化层(2)的厚度为60纳米~120纳米。
8.一种光伏组件,包括依次设置的盖板、第一封装胶膜,电池串、第二封装胶膜和背板,所述电池串包括多个太阳能电池,其特征在于,所述太阳能电池为权利要求1~7任一项所述的P型晶体硅太阳能电池。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的