[实用新型]P型晶体硅太阳能电池及光伏组件

说明书

本实用新型公开了一种P型晶体硅太阳能电池及光伏组件，属于太阳能电池技术领域。该P型晶体硅太阳能电池包括依次设置的正面电极、正面钝化层、发射极、P型晶体硅基体、背面钝化层以及背面电极，所述背面钝化层包括与所述P型晶体基体直接接触的氧化镓层。该太阳能电池中，利用氧化镓层所带有的负电荷对P型晶体硅基体的背表面进行化学钝化和场钝化，降低P型晶体硅基体背表面的硅原子的悬挂键和少数载流子数量，从而降低P型晶体硅基体背表面处的少数载流子复合速率，提高太阳能电池的电压与电流，提升太阳能电池的光电转换效率，进而提高光伏组件的输出功率，降低度电成本，提高光伏发电的性价比。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种P型晶体硅太阳能电池及光伏组件。

背景技术

光伏发电，即直接将太阳能转化为电能，是一种清洁、可持续性和性价比相对较高的发电方式。晶体硅太阳能电池是光伏发电系统的重要组成部分，晶体硅太阳能电池的光电转换效率对光伏发电的输出功率及度电成本有重要影响。

按照晶体硅太阳能电池的中心晶体硅基体的类型划分，晶体硅太阳能电池可分为P型晶体硅太阳能电池和N型晶体硅太阳能电池。其中P型晶体硅太阳能电池主要包括依次设置的正面电极、正面钝化层、发射极、P型晶体硅基体、背面钝化层以及背面电极，背面钝化层的材料通常为氧化硅、氮氧化硅、氮化硅等。

现有的P型晶体硅太阳能电池中少数载流子复合速率较高，限制了太阳能电池光电转换效率。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种P型晶体硅太阳能电池及制备方法、光伏组件，用于解决目前P型晶体硅太阳能电池中少数载流子复合速率较高的问题。

具体而言，包括以下的技术方案：

第一方面，本实用新型实施例提供了一种P型晶体硅太阳能电池，包括依次设置的正面电极、正面钝化层、发射极、P型晶体硅基体、背面钝化层以及背面电极，其中，所述背面钝化层包括与所述P型晶体硅基体直接接触的氧化镓层。

可选地，所述氧化镓层的厚度为1纳米～1000纳米。

可选地，所述氧化镓层的厚度为2纳米～150纳米。

可选地，所述氧化镓层的厚度为5纳米～60纳米。

可选地，所述背面钝化层还包括设置在所述氧化镓层上的覆盖层，所述覆盖层包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层中的至少一种，所述覆盖层的厚度在200纳米以下。

可选地，所述背面电极包括第一电极和第二电极，所述第一电极呈线形，所述第二电极设置在所述背面钝化层上位于所述第一电极以外的区域，且所述第二电极与所述第一电极接触；所述背面钝化层设置有过孔，所述第二电极通过所述过孔与所述P型晶体硅基体接触。

可选地，所述过孔的截面形状为圆形、线形、正方形、三角形或者边数5以上的多边形等。

可选地，截面形状为圆形的过孔的直径为10微米～200微米，孔间距为100微米～1000 微米。

可选地，截面形状为线形的过孔的宽度为20微米～100微米，多个线形过孔之间相互平行，相邻两个过孔之间的距离为500微米～2000微米。

可选地，所述第二电极覆盖全部所述背面钝化层，或者所述第二电极覆盖部分所述背面钝化层。

可选地，所述第一电极由银浆料形成或者由银铝浆料形成。

可选地，所述第二电极由铝浆料形成。

可选地，所述正面钝化层包括氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层、碳化硅层中的至少一种，所述正面钝化层的厚度为60纳米～120纳米。

可选地，所述正面电极由银浆料形成。