[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201820986413.5 | 申请日： | 2018-06-25 |
| 公开（公告）号： | CN208589437U | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 桥本千惠美;矢山浩辅;常野克己;松崎智一 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L27/02;H01L27/08;H03K3/011 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高培培;戚传江 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电层 布线层 半导体装置 层间导电 模塑封装 本实用新型 多晶硅电阻 电阻变动 电阻元件 重复图案 电阻 基板 期望 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：
半导体基板；以及
多个布线层，形成于所述半导体基板上，至少包括第1布线层以及第2布线层，
在所述多个布线层形成有电阻元件，
所述电阻元件具有第1导电层、第2导电层以及层间导电层的重复图案，所述第1导电层形成于所述第1布线层，所述第2导电层形成于所述第2布线层，所述层间导电层将所述第1导电层与所述第2导电层连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述层间导电层的电阻值大于所述第1导电层的电阻值与所述第2导电层的电阻值之和。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述层间导电层包括形成于所述第1导电层与所述第2导电层之间的金属层或者多晶硅层。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个布线层在所述第1布线层与所述第2布线层之间具有第3布线层，
所述层间导电层具有形成于所述第3布线层的接合焊盘、将所述第1导电层与所述接合焊盘连接的第1导孔以及将所述第2导电层与所述接合焊盘连接的第2导孔。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，
所述第1导孔以及所述第2导孔形成有将W层埋入于TiN层而形成的埋入层。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
在所述第1布线层中，将所述第1导电层的长度方向设为第1方向，并将与所述第1方向垂直的方向设为第2方向，
包含于所述电阻元件中的多个所述层间导电层在所述第1方向和所述第2方向上排列成矩阵状。
7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，
包含于所述电阻元件中的相邻的所述层间导电层彼此以半导体装置中的导孔的最小间隔配置。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
具有使用了多个所述电阻元件的修调电路。
9.一种半导体装置，其特征在于，具有：
半导体基板；
多个布线层，形成于所述半导体基板上；以及
修调电路，包括在所述多个布线层形成的电阻元件。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
所述修调电路具有串联连接的多个所述电阻元件以及与多个所述电阻元件分别并联连接的开关。
11.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个布线层至少包括第1布线层以及第2布线层，
所述电阻元件具有第1导电层、第2导电层以及层间导电层的重复图案，所述第1导电层形成于所述第1布线层，所述第2导电层形成于所述第2布线层，所述层间导电层将所述第1导电层与所述第2导电层连接。
12.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，
所述层间导电层的电阻值大于所述第1导电层的电阻值与所述第2导电层的电阻值之和。
13.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，
所述层间导电层包括形成于所述第1导电层与所述第2导电层之间的金属层或者多晶硅层。
14.根据权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，
所述多个布线层在所述第1布线层与所述第2布线层之间具有第3布线层，
所述层间导电层具有形成于所述第3布线层的接合焊盘、将所述第1导电层与所述接合焊盘连接的第1导孔以及将所述第2导电层与所述接合焊盘连接的第2导孔。
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