[实用新型]半导体装置

说明书

本实用新型提供一种半导体装置。多晶硅电阻的模塑封装工艺结束后的电阻变动率大。为了能够实现高精度的修调，期望实现一种几乎不受到由于模塑封装工艺而在基板产生的应力的影响的电阻。电阻元件形成于多个布线层，具有第1导电层(51)、第2导电层(52)以及层间导电层(53)的重复图案，所述第1导电层(51)形成于第1布线层，所述第2导电层(52)形成于第2布线层，所述层间导电层(53)将第1导电层(51)与第2导电层(52)连接。

技术领域

本实用新型涉及具有使用了电阻元件的修调电路的半导体装置。

背景技术

当在半导体装置中设置有振荡电路的情况下，一般设置用于修调振荡电路的频率特性的修调电路。修调电路具有电阻，通过调整该电阻的电阻值，能够针对每个半导体装置(芯片)将振荡电路的振荡频率设定为期望的值。作为用于修调电路的电阻元件，公知有在形成晶体管等电路元件时使用的多晶硅电阻。公知不使半导体装置的制造工序复杂化就能够形成多晶硅电阻，其电阻率也高、面积小且能够实现高的电阻，在这点上是优异的，但在模塑封装工艺后电阻值发生变动。这是硅芯片上的电阻元件(多晶硅电阻)受到来自模塑树脂的应力，由于形状变化、压电效果等而发生电阻值的变动。在专利文献1中，为了尽量减小多晶硅电阻从模塑树脂受到的应力，确定配置多晶硅电阻的部位。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-229509号公报

实用新型内容

实用新型所要解决的课题

根据专利文献1，其目标在于，将从多晶硅电阻的晶圆状态(修调完成状态)起至模塑封装工艺结束后的多晶硅电阻的电阻变动率抑制为大概±0.5％以内。然而，近年来修调电路所要求的精度变高，期望尽可能地使电阻变动率降低。另外，在专利文献1公开的技术中，能够配置多晶硅电阻的部位受到制约，因此，布局的自由度不得不变低。

其他课题和新颖的特征将根据本说明书的叙述以及附图而变得明确。

用于解决课题的技术方案

作为适合于修调电路的电阻元件，实现形成于多个布线层并将与半导体基板面垂直的方向设为主电阻的电阻元件。

实用新型效果

能够实现模塑封装工艺结束后的电阻变动率小的电阻。

附图说明

图1是半导体装置的框图。

图2是振荡电路的电路图。

图3是电阻元件的概念图。

图4是电阻元件的安装例。

图5A是电阻元件的电路图。

图5B是电阻元件的布局(俯视图)。

图6A是使用了电阻元件的修调电路的电路图。

图6B是修调电路的布局(俯视图)。

图7是救济流程。

图8是示出电阻元件相对于封装应力的特性变动率的图。

图9是示出封装应力的芯片内分布的图。

图10是线性螺线管驱动电路。

具体实施方式