[实用新型]一种固晶工艺结构及固晶机有效

专利信息
申请号: 201820995301.6 申请日: 2018-06-27
公开(公告)号: CN208385363U 公开(公告)日: 2019-01-15
发明(设计)人: 钟浩;陈勇伶 申请(专利权)人: 深圳市矽谷科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/687
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 518000 广东省深圳市宝*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 晶元 顶针装置 引线框架 工艺结构 固晶 夹具 本实用新型 自动旋转 分区 固晶臂 固晶机 晶片 抓取 方向一致性 同一水平面 晶片拾取 快速稳定 生产效率 拾取 保证
【说明书】:

实用新型公开了一种固晶工艺结构及固晶机,所述固晶工艺结构包括固晶臂控制机构、引线框架夹具、顶针装置及晶元装置;引线框架与晶元在同一水平面,固晶臂控制机构位于水平面上方,顶针装置位于晶元下方;晶元分为两个区域,顶针装置位于其中一个区域的中心位置;本实用新型将晶元分为两个区域,顶针装置设置在其中一个分区范围的中心位置;当其中一个分区范围内的晶片拾取完毕后,晶元装置自动旋转180°,用于拾取晶元剩下的另一个分区,同时引线框架夹具自动旋转180°,保证引线框架与晶片的方向一致性,实现快速稳定抓取晶片,提高生产效率、速度及精度。

技术领域

本实用新型涉及电子元器件技术领域,尤其涉及的是一种固晶工艺结构及固晶机。

背景技术

目前,现有设备实现半导体晶元固晶工艺的方式有二种:方式一、固晶绑头的固晶臂水平旋摆180°加上下升降运动,同时晶元环与引线框架在同一平面相结合的结构方式;其缺点:1、固晶臂旋摆角度大,导致固晶臂惯性加大,角速度加大,精度难以控制;2、晶元环与引线框架在同一平面,当晶元环为8英寸和12英寸或引线框架加宽时,固晶臂长度太长;目前设备的固晶臂长度:8英寸晶元时大于200MM、12英寸晶元时大于300MM,固晶臂越长导致旋摆惯性加大,难以停稳,影响精度及速度,从而影响效率。方式二、固晶绑头的固晶臂前后水平直线运动加上下升降运动,同时晶元环与引线框架错开一定平面高度相结合的结构方式,目前平面高度差大于30MM;其缺点:1、固晶臂前后水平直线运动负载重、移动距离长,导致速度相对较慢;2、上下升降距离长,导致速度相对较慢,影响效率及产能;以上两种方式在实际使用过程中,都难以满足日益增长的生产需求。

因此,现有技术还有待于改进和发展。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足,本实用新型的目的在于提供一种固晶工艺结构及固晶机,旨在将引线框架夹具与晶元设置在同一水平面,晶元分为两个区域,晶片拾取的顶针装置设置在晶元其中一个分区区域范围的中心位置,即靠近引线框架一侧的晶元分区,从而减短引线框架夹具与晶元及顶针装置的中心距离,当靠近引线框架一侧分区区域范围内的晶片拾取完毕后,晶元自动旋转180°,用于拾取晶元另外一个分区,同时引线框架夹具自动旋转180°保证引线框架与晶片的方向一致性;通过固晶臂旋转拾取顶针装置顶起的晶片,有效缩短了固晶臂的长度,实现快速稳定抓取晶元,整体提高设备的生产效率、速度及精度。

本实用新型的技术方案如下:

一种固晶工艺结构,包括:固晶臂控制机构、引线框架夹具、顶针装置及晶元,所述引线框架夹具与晶元位于同一水平面;固晶臂控制机构位于晶元水平面上方,所述固晶臂控制机构包括:依次连接的转动组件、固晶臂及吸盘;所述晶元分为两个区域,原则上两个区域相等,但不限于相等;所述顶针装置设置在靠近引线框架一侧分区范围的中心位置所述顶针装置与引线框架夹具之间的间距小于晶元中心点与引线框架夹具之间的间距,即当晶元分为两个相等区域时,顶针装置设置在晶元约1/4中心位置。

进一步地,所述的固晶工艺结构,其中,所述顶针装置在晶元上的垂直投影点与晶元中心点之间的间距为晶元半径的0至50%。

进一步地,所述的固晶工艺结构,其中,所述顶针装置在整个晶元上的垂直投影点与晶元中心点之间的间距小于晶元半径。

进一步地,所述的固晶工艺结构,其中,所述转动组件包括:旋转驱动源、旋转轴、夹紧轴及晶臂座,所述夹紧轴与旋转轴上端螺纹连接后固定在旋转驱动源中输出轴的外缘,所述旋转轴下端与晶臂座可移动连接,所述晶臂座下端与固晶臂相连接。

进一步地,所述的固晶工艺结构,其中,所述旋转轴外缘固定连接有旋转感应器片,所述转动组件一侧设置有R轴光电感应器,所述旋转感应器片的高度与所述R轴光电感应器的高度相适配。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市矽谷科技有限公司,未经深圳市矽谷科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820995301.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top