[实用新型]一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池

权利要求书

1.一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，其特征在于，包括：

一N型单晶硅基体(1)，所述N型单晶硅基体(1)具有相对的一正面和一背面；

依次设于所述N型单晶硅基体(1)正面的本征非晶硅前钝化层(2)、正面N型非晶硅层(3)和减反层(4)；

依次沉积于所述N型单晶硅基体(1)背面的掺杂N⁺层(5)和本征非晶硅背钝化层(6)；

间隔设于所述本征非晶硅背钝化层(6)上的背面N型非晶硅层(7)和P型非晶硅层(8)；

设于所述背面N型非晶硅层(7)和所述P型非晶硅层(8)上的接触层(9)；

设于所述背面N型非晶硅层(7)和所述P型非晶硅层(8)之间的绝缘隔离层(10)。

2.根据权利要求1所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，所述掺杂N⁺层(5)设有多个，多个所述掺杂N⁺层(5)依次间隔排布。

3.根据权利要求2所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，每一所述掺杂N⁺层(5)与一所述背面N型非晶硅层(7)相对。

4.根据权利要求1～3任意一项所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，所述掺杂N⁺层(5)为轻掺杂N⁺层，所述掺杂N⁺层(5)的表面掺杂浓度小于1×10¹⁸cm^-3，扩散深度为0.2～1μm。

5.根据权利要求4所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，所述N型单晶硅基体(1)电阻率为0.5～10Ω·cm，厚度为100～300μm。

6.根据权利要求4所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，所述本征非晶硅前钝化层(2)，和/或本征非晶硅背钝化层(6)，和/或所述正面N型非晶硅层(3)的厚度为1～15nm。

7.根据权利要求6所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，所述减反层(4)为氧化物、氮化物的一种或两种的组合，所述减反层(4)厚度为50～200nm。

8.根据权利要求7所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，所述P型非晶硅层(8)的厚度为10～100nm，宽度为100～1000μm。

9.根据权利要求4所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，所述接触层(9)由透明导电薄膜与金属电极叠层组成。

10.根据权利要求9所述的N型单晶硅太阳电池，其特征在于，所述透明导电薄膜包括锡掺杂的In₂O₃和铝掺杂的ZnO，所述金属电极为银、铜或铝。