[实用新型]一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池

说明书

本实用新型公开了一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，包括一N型单晶硅基体，N型单晶硅基体具有相对的一正面和一背面；依次设于N型单晶硅基体正面的本征非晶硅前钝化层、正面N型非晶硅层和减反层；依次沉积于N型单晶硅基体背面的掺杂N⁺层和本征非晶硅背钝化层；间隔设于本征非晶硅背钝化层上的背面N型非晶硅层和P型非晶硅层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层上的接触层；设于背面N型非晶硅层和P型非晶硅层之间的绝缘隔离层。本实用新型的背接触异质结N型单晶硅太阳电池，以提高N型单晶硅太阳电池的综合光电转换效率。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，具体地，涉及一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池。

背景技术

晶体硅太阳电池具有转换效率高、工作稳定性好、工作寿命长和制造技术成熟等特点，是目前太阳能光伏市场的主力军。相对掺硼的P型单晶硅材料，掺磷的N型单晶硅材料中硼含量极低，由硼氧对导致的光致衰减可以忽略，N型硅材料中的一些金属杂质对少子空穴的捕获能力低于P型材料中的杂质对少子电子的捕获能力，在相同掺杂浓度下N型硅比P型硅具有更高的少数载流子寿命。这些特性使得N型硅电池具有潜在的长寿命和高效率的优势，N型硅电池太阳电池已成为未来高效率晶体硅太阳电池的发展方向，而如何提高N型硅电池太阳电池的光电转换效率，一直是研究N型硅电池太阳电池的重点，影响N型硅电池太阳电池光电转换效率的因素有很多，且很多因素之间相互制约，因此如何综合衡量各个因素，以提高N型硅电池太阳电池的综合光电转换效率是我们当下需解决的。

实用新型内容

为解决上述现有技术存在的问题，本实用新型提供了一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，以提高N型单晶硅太阳电池的综合光电转换效率。

为了达到上述实用新型目的，本实用新型采用了如下的技术方案：

本实用新型提供了一种背接触异质结N型单晶硅太阳电池，包括：

一N型单晶硅基体，所述N型单晶硅基体具有相对的一正面和一背面；

依次设于所述N型单晶硅基体正面的本征非晶硅前钝化层、正面N型非晶硅层和减反层；

依次沉积于所述N型单晶硅基体背面的掺杂N⁺层和本征非晶硅背钝化层；

间隔设于所述本征非晶硅背钝化层上的背面N型非晶硅层和P型非晶硅层；

设于所述背面N型非晶硅层和所述P型非晶硅层上的接触层；

设于所述背面N型非晶硅层和所述P型非晶硅层之间的绝缘隔离层。

优选地，所述掺杂N⁺层设有多个，多个所述掺杂N⁺层依次间隔排布。

优选地，每一所述掺杂N⁺层与一所述背面N型非晶硅层相对。

优选地，所述掺杂N⁺层为轻掺杂N⁺层，所述掺杂N⁺层的表面掺杂浓度小于1×10¹⁸cm^-3，扩散深度为0.2～1μm。

优选地，所述N型单晶硅基体电阻率为0.5～10Ω·cm，厚度为100～300μm。

优选地，所述本征非晶硅前钝化层，和/或本征非晶硅背钝化层，和/或所述正面N型非晶硅层的厚度为1～15nm。

优选地，所述减反层为氧化物、氮化物的一种或两种的组合，所述减反层厚度为50～200nm。

优选地，所述P型非晶硅层的厚度为10～100nm，宽度为100～1000μm。

优选地，所述接触层由透明导电薄膜与金属电极叠层组成。