[实用新型]三维存储器件

权利要求书

1.一种三维存储器件，其特征在于包括阶梯区，所述阶梯区具有多个阶梯结构，每个阶梯结构包括从上到下交替堆叠的至少一栅极层和至少一介质层，其中在任意两个相邻阶梯结构中，第一阶梯结构顶部的第一栅极层的上表面高度，高于第二阶梯结构底部的介质层的下表面高度，第一阶梯结构顶部的第一栅极层与第二阶梯结构中的栅极层电绝缘，所述第一阶梯结构低于所述第二阶梯结构，所述第一栅极层上连接有接触部。

2.如权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于，所述第一栅极层的上表面高度比所述第二阶梯结构底部的介质层的下表面高度高10-50nm。

3.如权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于，所述第一栅极层具有面向所述第二阶梯结构的第一侧面，所述第二阶梯结构的所述至少一栅极层面向所述第一阶梯结构的第二侧面，所述第一侧面和所述第二侧面之间具有间隔，所述间隔被绝缘材料填充，使得第一阶梯结构的所述第一栅极层与所述第二阶梯结构的所述至少一栅极层之间电绝缘。

4.如权利要求3所述的三维存储器件，其特征在于，所述间隔的宽度为20-80nm。

5.如权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于，每个阶梯结构包括从上到下交替堆叠的两个第一栅极层和两个介质层。

6.如权利要求5所述的三维存储器件，其特征在于，所述多个阶梯结构分别位于所述三维存储器件的第一侧和第二侧，其中在相对应的第一侧阶梯结构和第二侧阶梯结构中，所述第一侧阶梯结构底部的栅极层与所述第二侧阶梯结构顶部的栅极层位于同一层。

7.如权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于，所述第一栅极层由同一材料构成。

8.如权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于，所述第一栅极层包括第一导电层和覆盖所述第一导电层的第二导电层，所述第二导电层的材料不同于所述第一导电层。

9.如权利要求1所述的三维存储器件，其特征在于，所述三维存储器件为浮栅型三维NAND存储器。