[实用新型]改善SINA边缘发红的机台结构

说明书

本实用新型公开了一种改善SINA边缘发红的机台结构，包括石墨框(1)和反应仓，其特征在于：在边列石墨框(1)与石墨框勾点(2)之间设置两个垫片(3)；在反应仓内部的U型槽敷板(6)上所设置的NH3气孔(7)直径扩大为1.0mm。通过上述两个特征的结合，产生协同作用，更好的加快边列氮化硅沉积速率，实现边缘发红的改善。

技术领域

本实用新型设置太阳能电池制造领域，具体是一种改善SINA边缘发红的机台结构。

背景技术

板式PECVD的SINA机台由于微波衰减，会产生边缘发红的现象，增加返工率。传统的解决方法：1.降低两侧温度，减小挥发，但会导致边缘致密性降低，影响成品电池片效率。2.增加两侧功率，减小衰减，但会减小石英管寿命，增加维护成本。3.改造勾点深度、宽度，但会有碎片率增加的风险。

需要一种简单、有效、成本低的方法来改善SINA边缘发红。

实用新型内容

本实用新型为解决现有技术中存在的问题，提出了一种改善SINA边缘发红的机台结构。

技术方案：

一种改善SINA边缘发红的机台结构，包括石墨框和反应仓，在边列石墨框与石墨框勾点之间设置两个垫片；在反应仓内部的U型槽敷板上所设置的NH3气孔直径扩大为1.0mm。

优选的，每个垫片的厚度为0.9mm。

优选的，U型槽敷板的两侧各设置有3个NH3气孔。

本实用新型的有益效果

(1)垫片位于石墨框和勾点之间，原垫片厚度0.9mm，将石墨框边列侧的垫片由1个增至2个，使垫片整体厚度增加至1.8mm，石墨框边列侧的Wafer与石英管间距缩短了0.9mm，边列测氮化硅沉积速率加快，改善边缘发红。

(2)NH3气孔位于设备反应仓内部的U型槽敷板上，使用1mm钻头将敷板两侧各3个0.8mm直径的NH3气孔增加至1.0mm，增加特气出气量，边列氮化硅沉积速率加快，改善边缘发红。

附图说明

图1为现有技术中石墨框勾点垫片示意图。

图2为本实用新型中石墨框勾点垫片示意图。

图3为现有技术中与本实用新型中NH3气孔大小对比图。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步说明，但本实用新型的保护范围不限于此：

Sina机台是Meyerburger公司制造，用于太阳能电池片镀膜工序的氮化硅膜沉积，原理采用微波PECVD，即微波源至于样品区域之外，先将氨气离化，再轰击硅烷，产生的氮化硅分子沉积在样品的表面上。该设备具有稳定性高、氮化硅颜色均匀、产能高的特点。

在太阳能电池片镀膜工序中，石墨款通常作为板式PECVD的硅片载具，石墨框由碳纤维条编制成，具有加热快、结构稳定特性。石墨框勾点通常有4个，分别位于石墨框上、下、左、右边缘中心处，用于承载硅片。

现有技术中，如图1所示，在石墨框1和勾点2之间，设置有一个垫片3，垫片3厚度为0.9mm，该垫片3的作用是加固石墨框和石墨框勾点之间的连接，防止石墨框勾点晃动。

本实施例中，如图2所示，将石墨框边列垫片3由1个增至2个，使电池片4边列与石英管5间距缩短0.9mm，边列沉积速率加快，改善边缘发红。