[实用新型]基片传输系统

说明书

本实用新型提供一种基片传输系统，包括：承载装置，用于在进行工艺时承载基片；顶针装置，用于在对基片进行取放时承载基片；升降装置，用于驱动承载装置或者顶针装置上升或下降，以能够在承载装置与顶针装置之间传递基片；机械手，能够通过作水平运动和升降运动将基片传递至顶针装置，或者自顶针装置取出基片。其不仅能够降低取放基片的时间，而且能够减小升降误差，从而提高生产效率，并提高硅片工艺结果的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及微电子技术领域，具体地，涉及一种基片传输系统。

背景技术

目前，在微电子技术领域中，化学气相沉积(CVD)方法，是一种利用不同气体在高温下相互反应来制备外延薄膜层的方法，通过CVD设备可以进行外延生长，即在单晶衬底(基片)上生长一层达到一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，CVD设备包括旋转升降系统和机械手，机械手起到取放硅片的功能，旋转升降系统中设置有托盘，用以承载硅片。

现有技术中，机械手只进行二维运动，即只在一个平面上运动，升降装置设置有上下两个气缸，在放片过程中，机械手携带硅片伸入腔室，上气缸带动顶针及托盘同时上升，当顶针接触到硅片并将硅片顶起，机械手缩回，下气缸带动托盘上升，直至托盘接触硅片并将硅片托起，完成放片过程，在取片过程中，下气缸带动托盘下降，当硅片被顶针顶起，机械手伸入腔室，上气缸带动顶针及托盘同时下降，机械手将硅片托起并缩回，完成取片过程。

上述硅片取放装置，在完成一次取放片过程中，上下两个气缸分别需要工作两次，造成取放硅片时间长，降低生产效率，而且气缸的伸缩受气流量的影响，从静止到运动的瞬间，可能会产生振动，并且气缸的升降精度较差，两个气缸会造成较大的升降误差，造成硅片工艺结果的不稳定性。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种基片传输系统，其不仅能够降低取放基片的时间，而且能够减小升降误差，从而提高生产效率，并提高硅片工艺结果的稳定性。

为实现本实用新型的目的而提供一种基片传输系统，包括：

承载装置，用于在进行工艺时承载基片；

顶针装置，用于在对基片进行取放时承载基片；

升降装置，用于驱动所述承载装置或者顶针装置上升或下降，以能够在所述承载装置与顶针装置之间传递基片；

机械手，能够通过作水平运动和升降运动将所述基片传递至所述顶针装置，或者自所述顶针装置取出基片。

优选的，所述升降装置包括传动机构和电缸，所述电缸通过所述传动机构驱动所述承载装置或者顶针装置上升或下降。

优选的，所述电缸通过所述传动机构驱动所述承载装置上升或下降；并且，所述承载装置包括托盘和托盘升降轴，所述托盘用于承载基片；所述托盘升降轴分别与所述托盘和所述传动机构连接。

优选的，所述顶针装置包括顶针升降轴和至少三个顶针，其中，

所述顶针升降轴为中空结构，且套设于所述托盘升降轴周围；

所述至少三个顶针围绕所述顶针升降轴间隔分布，用于在对基片进行取放时承载基片；并且在所述托盘上升或下降时，所述至少三个顶针的上端能够低于或者高于所述托盘的上表面。

优选的，在所述托盘中沿其厚度方向设置有多个第一通孔，所述第一通孔的数量与所述顶针的数量相同，且各个所述顶针能够一一对应地穿过各个所述第一通孔。

优选的，多个所述第一通孔为沉头孔；每个所述顶针的上端设置有凸台；在所述托盘上升的过程中，所述凸台能够沉入并止挡在所述沉头孔中；并且，所述凸台在沉入所述沉头孔中时，其上端面不高于所述托盘的上表面。

优选的，还包括固定支架和连接件，其中，所述固定支架固定，所述电缸固定在所述固定支架上；