[实用新型]一种像素结构有效
申请号: | 201821087247.1 | 申请日: | 2018-07-10 |
公开(公告)号: | CN208284478U | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 于靖;庄崇营;李林 | 申请(专利权)人: | 信利半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 邓义华;廖苑滨 |
地址: | 516600 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 像素电极 栅极线 共用数据线 像素结构 本实用新型 电性连接 栅极线电 方向排列 寄生电容 显示异常 有效解决 不相等 延伸 制作 | ||
1.一种像素结构,其特征在于,包括数据线、栅极线、像素电极、与所述栅极线电性连接的栅极层、与所述数据线电性连接的源极层和与所述像素电极电性连接的漏极层;所述栅极层包括沿所述栅极线延伸方向排列的第一栅极和第二栅极;所述源极层包括延伸至所述第一栅极上的第一源极和延伸至所述第二栅极上的第二源极;所述漏极层设于所述第一栅极和第二栅极之间,且包括延伸于第一栅极上的第一漏极端、延伸于第二栅极上的第二漏极端和与所述像素电极电性连接的第三漏极端。
2.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第三漏极端通过过孔与所述像素电极电性连接。
3.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,还包括设于所述栅极层上的有源层。
4.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述有源层包括对应于所述第一栅极的第一有源层和对应于所述第二栅极的第二有源层。
5.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述源极层和栅极层延伸至所述第一漏极端和第二漏极端朝向第三漏极端一侧,且不超过所述第三漏极端朝向所述像素电极一侧。
6.根据权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述数据线的数量为一个,所述栅极线、像素电极、栅极层、源极层和漏极层的数量均为两个。
7.根据权利要求6所述的像素结构,其特征在于,所述栅极线与所述数据线交叉布置,所述数据线的两侧分别布置有像素电极、栅极层、源极层和漏极层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的