[实用新型]一种新型结构黄绿光外延片有效
申请号: | 201821088727.X | 申请日: | 2018-07-10 |
公开(公告)号: | CN208738289U | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 林晓珊;宁如光;徐培强;刘芬;吴春寿;杨琪;熊欢 | 申请(专利权)人: | 南昌凯迅光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/30 |
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地址: | 330100 江西省南*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 限制层 波导层 发光区 源层 空穴 本实用新型 黄绿光 外延片 衬底 电流扩展层 发光二极管 内量子效率 反射层 缓冲层 宽度比 禁带 复合 吸收 | ||
1.一种新型结构黄绿光外延片,包括GaAs衬底(100),其特征在于:所述GaAs衬底(100)上依次设有缓冲层(101)、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层(102)、n-AlInP限制层(103)、n-AlGaInP波导层(104)、非掺AlInP限制层Ⅰ(105)、MQW有源层(106)、非掺AlInP限制层Ⅱ(107)、p-AlGaInP波导层(108)、p-AlInP限制层(109)和p-GaP电流扩展层(110)。
2.根据权利要求1所述的一种新型结构黄绿光外延片,其特征在于:所述缓冲层(101)厚度为0.5μm,缓冲层(101)掺杂浓度为5×1017cm-3,所述AlGaAs/AlAs(DBR)反射层(102)厚度为1.6μm,AlGaAs/AlAs(DBR)反射层(102)掺杂浓度为2×1018cm-3,所述n-AlInP限制层(103)厚度为0.5μm,n-AlInP限制层(103)掺杂浓度为2×1018cm-3,所述n-AlGaInP波导层(104)厚度为0.1μm,n-AlGaInP波导层(104)掺杂浓度为3×1017cm-3。
3.根据权利要求1所述的一种新型结构黄绿光外延片,其特征在于:所述非掺AlInP限制层Ⅰ(105)厚度为10nm,所述MQW有源层(106)厚度为600nm,所述非掺AlInP限制层Ⅱ(107)厚度为10nm。
4.根据权利要求1所述的一种新型结构黄绿光外延片,其特征在于:所述p-AlGaInP波导层(108)厚度0.1μm,p-AlGaInP波导层(108)掺杂浓度为5×1017cm-3,所述p-AlInP限制层(109)厚度为0.8μm,p-AlInP限制层(109)掺杂浓度为6×1017cm-3,所述p-GaP电流扩展层(110)厚度为5μm,p-GaP电流扩展层(110)掺杂浓度大于1×1018cm-3。
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