[实用新型]一种新型结构黄绿光外延片

说明书

本实用新型公开了一种新型结构黄绿光外延片，包括GaAs衬底，其中：所述GaAs衬底上依次设有缓冲层、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层、n‑AlInP限制层、n‑AlGaInP波导层、非掺AlInP限制层Ⅰ、MQW有源层、非掺AlInP限制层Ⅱ、p‑AlGaInP波导层、p‑AlInP限制层和p‑GaP电流扩展层。本实用新型通过在MQW有源层与n‑AlGaInP波导层之间插入一层非掺AlInP限制层Ⅰ，在MQW有源层与p‑AlGaInP波导层之间插入一层非掺AlInP限制层Ⅱ，分别将注入到发光区的电子和空穴约束在发光区，增加复合的电子‑空穴对数，且由于非掺AlInP限制层Ⅱ的禁带宽度比发光区大，发光区发出的光较容易透过非掺AlInP限制层Ⅱ，被吸收的几率小，从而提高发光二极管的内量子效率。

技术领域

本实用新型涉及半导体二极管技术领域，尤其涉及一种新型结构黄绿光外延片。

背景技术

AlGaInP四元系黄绿光LED随着波长的变短，有源区内载流子的溢出迅速增加，在发光波长570nm时载流子溢出可占到总数的60％，严重影响内量子效率。因此本发明通过对器件的结构进行优化，减小载流子溢出，从而提高黄绿光LED的内量子效率和发光效率。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术的不足，一种新型结构黄绿光外延片，通过在MQW有源层与n-AlGaInP波导层之间插入一层非掺AlInP限制层Ⅰ，在MQW有源层与p-AlGaInP波导层之间插入一层非掺AlInP限制层Ⅱ，分别将注入到发光区的电子和空穴约束在发光区，增加复合的电子-空穴对数，且由于非掺AlInP限制层Ⅱ的禁带宽度比发光区大，发光区发出的光较容易透过非掺AlInP限制层Ⅱ，被吸收的几率小，从而提高发光二极管的内量子效率。

本实用新型的技术方案如下：一种新型结构黄绿光外延片，包括GaAs衬底，其中：所述GaAs衬底上依次设有缓冲层、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层、 n-AlInP限制层、n-AlGaInP波导层、非掺AlInP限制层Ⅰ、MQW有源层、非掺AlInP限制层Ⅱ、p-AlGaInP波导层、p-AlInP限制层和p-GaP电流扩展层。

优选的，缓冲层厚度为0.5μm，缓冲层掺杂浓度为5×10¹⁷cm^-3，所述 AlGaAs/AlAs(DBR)反射层厚度为1.6μm，AlGaAs/AlAs(DBR)反射层掺杂浓度为2×10¹⁸cm^-3，所述n-AlInP限制层厚度为0.5μm，n-AlInP限制层掺杂浓度为2×10¹⁸cm^-3，所述n-AlGaInP波导层厚度为0.1μm，n-AlGaInP波导层掺杂浓度为3×10¹⁷cm^-3。

优选的，非掺AlInP限制层Ⅰ厚度为10nm，所述MQW有源层厚度为600nm。

优选的，p-AlGaInP波导层厚度0.1μm，p-AlGaInP波导层掺杂浓度为5 ×10¹⁷cm^-3，所述p-AlInP限制层厚度为0.8μm，p-AlInP限制层掺杂浓度为6 ×10¹⁷cm^-3，所述p-GaP电流扩展层厚度为5μm，p-GaP电流扩展层掺杂浓度大于1×10¹⁸cm^-3。

本实用新型的技术效果和优点：

1、通过在MQW有源层与n-AlGaInP波导层之间插入一层非掺AlInP限制层Ⅰ，在MQW有源层与p-AlGaInP波导层之间插入一层非掺AlInP限制层Ⅱ，分别将注入到发光区的电子和空穴约束在发光区，增加复合的电子-空穴对数，且由于非掺AlInP限制层Ⅱ的禁带宽度比发光区大，发光区发出的光较容易透过非掺AlInP限制层Ⅱ，被吸收的几率小，从而提高发光二极管的内量子效率。

附图说明