[实用新型]一种p型背接触太阳电池

权利要求书

1.一种p型背接触太阳电池，其特征在于，自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜(2)、p型硅基底(1)、n型掺杂区域(3)、背面钝化膜(5)和电池电极；所述的n型掺杂区域(3)间隔排列在所述p型硅基底(1)表面；

所述的电池电极包括正极和负极，正极包括正极细栅线(7)和正极连接电极(9)，负极包括负极细栅线(8)和负极连接电极(10)；正极细栅线(7)与p型硅基底(1)上p型区域(4)接触；负极细栅线(8)与n型掺杂区域(3)接触；所述正极细栅线(7)与正极连接电极(9)连接，并通过正极连接电极(9)导出电流，所述负极细栅线(8)与负极连接电极(10)连接，并通过负极连接电极(10)导出电流。

2.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述n型掺杂区域(3)的宽度为0.08～3mm，相邻两个n型掺杂区域之间的间距为0.05～1mm。

3.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正面钝化及减反射膜(2)采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅及非晶硅中的一种或多种组成；所述背面钝化膜(5)，采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成。

4.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述的正极细栅线(7)和p型硅基底(1)之间的p型区域(4)内包含一层III族元素掺杂的空穴掺杂层(12)，空穴掺杂层(12)的厚度为1～15um。

5.根据权利要求4所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述的空穴掺杂层(12)和正极细栅线(7)之间还设置有一层铝硅合金层(13)，铝硅合金层(13)厚度为1～5um。

6.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正极细栅线(7)为含铝电极，正极细栅线(7)的宽度为20um～200um。

7.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述负极细栅线(8)为含银电极，负极细栅线(8)的宽度为10um～100um。

8.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正极连接电极(9)包含银、铜、铝及镍中的一种或多种；所述负极连接电极(10)包含银、铜、铝及镍中的一种或多种。

9.根据权利要求1～8任意一项所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述负极细栅线(8)在正极连接电极(9)处分段断开，避免与正极连接电极(9)相连；正极细栅线(7)在负极连接电极(10)处分段断开避免与负极连接电极(10)相连；正极和负极隔离，互不交叉。

10.根据权利要求1～8任意一项所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正极连接电极(9)和负极细栅线(8)交叉设置，交叉处设置有绝缘体(11)互相隔离，所述负极连接电极(10)和正极细栅线(7)交叉设置，交叉处设置有绝缘体(11)互相隔离；正极和负极相互绝缘。