[实用新型]一种p型背接触太阳电池

权利要求书

1.一种p型背接触太阳电池，其特征在于，自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜(2)、p型硅基底(1)、n型区域(3)、背面钝化膜(5)和电池电极；所述的n型区域(3)局域分布在p型硅基底(1)表面；

所述n型区域(3)和p型硅基底(1)背面上的p型区域(4)呈指状交叉形式交错排列，其中n型区域(3)分为n型贯穿区域(301)和n型垂直区域(302)，p型区域(4)分为p型贯穿区域(401)和p型垂直区域(402)；n型贯穿区域(301)和p型贯穿区域(401)相互平行；所述n型垂直区域(302)和n型贯穿区域(301)相互垂直并连接；所述p型垂直区域(402)和p型贯穿区域(401)相互垂直并连接；在n型贯穿区域(301)方向上，所述n型垂直区域(302)和p型垂直区域(402)交错排列；

所述的电池电极包括正极和负极，所述正极包括正极细栅线(7)和正极连接电极(9)，所述负极包括负极细栅线(8)和负极连接电极(10)；负极细栅线(8)与n型区域的n型垂直区域(302)形成接触；正极细栅线(7)与p型区域的p型垂直区域(402)形成接触；负极连接电极(10)设置在n型贯穿区域(301)内；正极连接电极(9)设置在p型贯穿区域(401)内；正极细栅线(7)与正极连接电极(9)连接，并通过正极连接电极(9)导出电流，负极细栅线(8)与负极连接电极(10)连接，并通过负极连接电极(10)导出电流。

2.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述p型区域的一个p型垂直区域(402)的宽度与相邻n型区域的一个n型垂直区域(302)的宽度之和为0.2～5mm，其中p型垂直区域(402)的宽度和n型垂直区域(302)的宽度比值为1～20。

3.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正面钝化及减反射膜(2)采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成；所述背面钝化膜(5)采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成。

4.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述的正极细栅线(7)和p型硅基底(1)的局部接触区域内设置有一层掺杂成分为III族元素的空穴掺杂层(11)，空穴掺杂层(11)的厚度为1～15um。

5.根据权利要求4所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述的空穴掺杂层(11)和正极细栅线(7)之间还设置一层铝硅合金层(12)，铝硅合金层(12)厚度为1～5um。

6.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正极细栅线(7)为含铝的电极，宽度为20um～200um。

7.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述负极细栅线(8)为银的电极，宽度为10um～100um。

8.根据权利要求1所述的p型背接触太阳电池，其特征在于，所述正极连接电极(9)包含银、铜、铝及镍中的一种或多种；所述负极连接电极(10)包含银、铜、铝及镍中的一种或多种。