[实用新型]一种p型背接触太阳电池

说明书

本实用新型涉及一种p型背接触太阳电池，包括：正面钝化及减反射膜、p型硅基底、p型硅基底背面局域掺杂的n型区域、背面钝化膜和电池电极；n型区域和p型硅基底的p型区域呈指状交叉形式交错排列，n型区域分为n型贯穿区域和n型垂直区域，p型区域分为p型贯穿区域和p型垂直区域；n型贯穿区域和p型贯穿区域相互平行；n型垂直区域和n型贯穿区域相互垂直并连接；p型垂直区域和p型贯穿区域相互垂直并连接；在n型贯穿区域方向上，n型垂直区域和p型垂直区域交错排列；电池电极置于硅片背面钝化膜之外，负极图形范围置于背面n型区域范围内并和n型区域局部接触，正极图形范围置于背面p型区域范围内并与p型区域局部接触。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池技术领域，特别涉及一种p型背接触太阳电池。

背景技术

目前，随着化石能源的逐渐耗尽，太阳电池作为新的能源替代方案，使用越来越广泛。太阳电池是将太阳的光能转换为电能的装置。太阳电池利用光生伏特原理产生载流子，然后使用电极将载流子引出，从而利于将电能有效利用。

背接触电池，即back contact电池，其中p型背接触太阳电池又称为IBC电池。IBC全称为Interdigitated back contact指状交叉背接触。IBC电池最大的特点是发射极和金属接触都处于电池的背面，正面没有金属电极遮挡的影响，因此具有更高的短路电流Jsc，同时背面可以容许较宽的金属栅线来降低串联电阻Rs从而提高填充因子FF；并且这种正面无遮挡的电池不仅转换效率高，而且看上去更美观，同时，全背电极的组件更易于装配。IBC电池是目前实现高效晶体硅电池的技术方向之一。

目前使用的p型背接触太阳电池通常使用n型片作为基底材料，并且在背面通常使用银浆，因此在制备IBC电池时，需要对发射极和背面场的区域均进行较高浓度的掺杂，才能使得在后续的电极制备工艺过程中较好的形成电极接触，成本较高。并且由于需要进行至少两次的不同掺杂类型的掺杂工艺过程，工艺流程较长，尤其是在硅片在进行p型掺杂时，需要更高的温度和时间，额外带来边缘pn结难以去除，增加工艺的复杂性，延长了工艺流程。另外常规IBC背面电极由于在空间上有交叠，增加了漏电问题，并且额外引入了绝缘体的构件，另外也增加了工艺复杂性。

实用新型内容

针对以上问题，本专利提供了一种p型背接触太阳电池，及制备方法，可以较好的解决上述问题。

本实用新型的技术解决方案是：

一种p型背接触太阳电池，自上而下依次包括：自上而下依次包括：正面钝化及减反射膜、p型硅基底、n型区域、背面钝化膜和电池电极；所述的n型区域局域分布在p型硅基底表面；

所述n型区域和p型硅基底背面上的p型区域4呈指状交叉形式交错排列，其中n型区域分为n型贯穿区域和n型垂直区域，p型区域分为p型贯穿区域和 p型垂直区域；n型贯穿区域和p型贯穿区域相互平行；所述n型垂直区域和n 型贯穿区域相互垂直并连接；所述p型垂直区域和p型贯穿区域相互垂直并连接；在n型贯穿区域方向上，所述n型垂直区域和p型垂直区域交错排列；

所述的电池电极包括正极和负极，所述正极包括正极细栅线和正极连接电极，所述负极包括负极细栅线和负极连接电极；

负极细栅线与n型区域的n型垂直区域形成接触；正极细栅线与p型区域的 p型垂直区域形成接触；负极连接电极设置在n型贯穿区域内；正极连接电极设置在p型贯穿区域内；正极细栅线与正极连接电极连接，并通过正极连接电极导出电流，负极细栅线与负极连接电极连接，并通过负极连接电极导出电流。

所述p型区域的一个p型垂直区域的宽度与相邻n型区域的一个n型垂直区域的宽度之和为0.2～5mm，其中p型垂直区域的宽度和n型垂直区域的宽度比值为1～20。

所述正面钝化及减反射膜采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成；所述背面钝化膜采用氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化铝、碳化硅、非晶硅中的一种或多种组成。