[实用新型]一种可控硅的负载控制电路

权利要求书

1.一种可控硅的负载控制电路，其特征在于，包括：

并联连接的可控硅TR1和可控硅TR2，可控硅TR1的阳极、可控硅TR2的阳极均电性相连交流电源的第一输入电源端，可控硅TR1的阴极、可控硅TR2的阴极均通过负载与交流电源的第二输入电源端电性相连；

用于让可控硅TR1和可控硅TR2的其中之一以预设时长T为周期交替导通而同时其中另一个关断的切换电路。

2.根据权利要求1所述可控硅的负载控制电路，其特征在于，切换电路包括：

分别与可控硅TR1的控制端、可控硅TR2的控制端电性相连的第一触发电路和第二触发电路；

具有第一控制端口和第二控制端口的单片机U1，第一控制端口和第二控制端口其中之一以预设时长T为周期交替输出导通控制信号同时其中另一个交替输出关断控制信号，第一控制端口和第二控制端口分别与第一触发电路和第二触发电路电性相连。

3.根据权利要求1所述可控硅的负载控制电路，其特征在于，第一触发电路和第二触发电路具有相同的电路结构。

4.根据权利要求3所述可控硅的负载控制电路，其特征在于，第一触发电路或第二触发电路包括：发射极接地的三极管Q1，该三极管Q1的基极通过电阻R1连接单片机U1的第一控制端口或第二控制端口，该三极管Q1的集电极通过电阻R2与可控硅TR1的控制端或可控硅TR2的控制端电性相连。

5.根据权利要求4所述可控硅的负载控制电路，其特征在于，三极管Q1为NPN型三极管。