[实用新型]一种单晶硅片移转支架有效
申请号: | 201821097565.6 | 申请日: | 2018-07-12 |
公开(公告)号: | CN208376845U | 公开(公告)日: | 2019-01-15 |
发明(设计)人: | 何翠翠;韩刚;孙鹏 | 申请(专利权)人: | 锦州神工半导体股份有限公司 |
主分类号: | B62B3/10 | 分类号: | B62B3/10 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 李烨 |
地址: | 121001 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单晶硅片 下支撑架 本实用新型 侧支撑架 支撑力 倒U形 托板 托架 移转 支架 侧向 可滑动地 稳定支撑 轴向均布 石英辊 | ||
本实用新型公开了一种单晶硅片移转支架。包括:托板;托架,其可滑动地设置在所述托板的上方;以及多个弧形下支撑架,其沿轴向均布设置在所述托架上,用于为单晶硅片提供向上的支撑力;多组倒U形侧支撑架,其分别设置在所述弧形下支撑架的前侧和后侧,用于为单晶硅片提供侧向的支撑力;石英辊,其分别设置在所述倒U形侧支撑架的顶部,以及弧形下支撑架的左右两端。本实用新型的有益效果是:能够稳定支撑单晶硅片。
技术领域
本实用新型涉及单晶硅片制造领域,特别涉及一种单晶硅片移转支架。
背景技术
单晶硅片是硅的单晶体,是一种具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质,是一种良好的半导材料。纯度要求达到99.9999%,甚至达到99.9999999%以上。用于制造半导体器件、太阳能电池等。用高纯度的多晶硅在单晶炉内拉制而成。
单晶硅片的处理过程有一步退火工艺,目的是将晶体中的氧施主效应去除,该现象让硅片出现电阻率虚高的现象,针对于此,必须要进行退火。在进行退火工艺前,需要对单晶硅片进行移转,但是在移转过程中,因为硅盘温度过高,无法直接用手或者其他隔热材料接触,因为会有一些污染存在,导致硅的外部出现污染,影响晶体质量。而且要求这种移转装置质杂质少,需要一种结构,来支撑硅盘,达到方便取用,又不污染硅盘。
一种能够稳定支撑单晶硅片的支架成为解决问题的关键。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种单晶硅片移转支架,能够稳定支撑单晶硅片。
为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案,包括:
托板;
托架,其可滑动地设置在所述托板的上方;以及
多个弧形下支撑架,其沿轴向均布设置在所述托架上,用于为单晶硅片提供向上的支撑力;
多组倒U形侧支撑架,其分别设置在所述弧形下支撑架的前侧和后侧,用于为单晶硅片提供侧向的支撑力;
石英辊,其分别设置在所述倒U形侧支撑架的顶部,以及弧形下支撑架的左右两端;
其中,所述倒U形侧支撑架与水平面呈60°夹角,每组倒U形侧支撑架由高倒U形侧支撑架和低倒U形侧支撑架组成,所述高倒U形侧支撑架位于弧形下支撑架的后侧,低倒U形侧支撑架位于弧形下支撑架的前侧,所述高倒U形侧支撑架的高度为单晶硅片直径的2/3~3/4;所述低倒U形侧支撑架的高度为单晶硅片直径的1/3~1/2。
优选的是,还包括:
滑动装置,其设置在所述托板与托架之间,用于实现托架与托板可滑动连接;
其中,所述滑动装置包括;
滑轨,分别并列设置在所述托板上,位于托架的下方;
滑块,其设置在所述托架下端,并与所述滑轨相配合;
伸缩电机,其设置在所述托架的后方,并与所述托架连接,用于带动所述托架在托板上轴向移动。
优选的是,所述托板为中空结构的壳体,在所述托板内设有用于在移转过程中为单晶硅片降温的冷却降温装置。
优选的是,所述冷却降温装置包括:
进风机,其与所述托板连接,用于将空气引入托板内部;以及
冷却器,其设置在所述托板内,用于将空气冷却;
出风口,其均布设置在所述托板的上端面,用于排出冷却风;
其中,在所述出风口处设有防尘分子筛。
优选的是,还包括:
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