[实用新型]硅片状态检测机构和硅片传输系统有效
申请号: | 201821100232.4 | 申请日: | 2018-07-11 |
公开(公告)号: | CN208655581U | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 陶洪建;姜杰;郑教增;郑锋标;陈淮阳;张阔峰;张明辉 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;G03F7/20 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 状态检测机构 片库 侧面 片盒 硅片传输系统 机械手装置 本实用新型 叠放 检测 贯穿 | ||
1.一种硅片状态检测机构,其特征在于,所述硅片状态检测机构包括:底座、位于所述底座上的导轨、位于所述导轨上并能沿着所述导轨移动的安装板、连接在所述安装板上的支架以及安装在所述支架上的硅片检测装置和放大器;所述放大器和所述硅片检测装置信号连接;所述底座内还设置有为所述安装板提供动力的动力装置。
2.如权利要求1所述的硅片状态检测机构,其特征在于,所述支架包括第一支架和第二支架,所述第一支架连接在所述安装板的上部,所述第二支架连接在所述安装板的侧部,所述硅片检测装置安装在所述第一支架上,所述放大器安装在所述第二支架上。
3.如权利要求1所述的硅片状态检测机构,其特征在于,所述支架包括第一支架,所述第一支架安装在安装板的上部,所述硅片检测装置和所述放大器堆叠在所述第一支架上。
4.如权利要求2或3所述的硅片状态检测机构,其特征在于,所述硅片检测装置包括对射式激光传感器和多个第一反射式激光传感器,所述第一支架包括第一支杆、第二支杆和横杆,所述横杆连接所述第一支杆和所述第二支杆,所述第一支杆、所述横杆和所述第二支杆组成一个U形的形状,所述多个第一反射式激光传感器分别位于所述第一支杆和/或所述第二支杆上,所述对射式激光传感器的发射部和接收部分别位于所述第一支杆和所述第二支杆上。
5.如权利要求4所述的硅片状态检测机构,其特征在于,所述放大器通过触头的连接方式与电气转接板连接。
6.如权利要求4所述的硅片状态检测机构,其特征在于,所述动力装置包括:电机、与所述电机连接的主动轮、通过同步带被所述主动轮带动的从动轮、与所述从动轮连接的丝杠以及位于所述丝杠上的丝母;所述丝母与所述安装板通过一辅助板连接。
7.一种硅片传输系统,其特征在于,所述硅片传输系统包括:片库框架、片盒、机械手装置以及如权利要求1~6中任一项所述的硅片状态检测机构;
所述片库框架具有相对的第一侧面和第二侧面,所述片库框架上还开有一窗口,所述窗口贯穿所述第一侧面和所述第二侧面;
所述片盒位于所述片库框架的第二侧面;
所述硅片状态检测机构位于所述片库框架的第一侧面;
所述机械手装置和所述硅片状态检测机构能通过所述窗口对所述片盒内的硅片进行操作。
8.如权利要求7所述的硅片传输系统,其特征在于,所述片库框架的第二侧面还设置有垂向运动单元,所述片盒能沿着所述垂向运动单元运动。
9.如权利要求7所述的硅片传输系统,其特征在于,所述机械手装置上安装有片叉。
10.如权利要求7所述的硅片传输系统,其特征在于,所述硅片传输系统还包括异物检测装置,所述异物检测装置包括第一区域传感器和第二区域传感器,所述第一区域传感器的光线的发射面和所述第二区域传感器的光线的接收面平行设置,所述第一区域传感器位于所述片库框架的第一侧面并且位于所述窗口的左侧,所述第二区域传感器位于所述片库框架的第一侧面并且位于所述窗口的右侧。
11.如权利要求10所述的硅片传输系统,其特征在于,所述第一区域传感器的光线的发射面和所述第二区域传感器的光线的接收面均垂直于水平面。
12.如权利要求10所述的硅片传输系统,其特征在于,所述第一区域传感器的光线的发射面和所述第二区域传感器的光线的接收面均与垂直面呈一个角度关系:Cosθ=h/d,h<δ,其中:θ为第一区域传感器的光线的发射面或第二区域传感器的光线的接收面与垂直面的夹角,d为第一区域传感器发出的光线的相邻光轴之间的距离,h为第一区域传感器发出的光线的相邻光轴之间的垂直距离,δ为片叉的厚度。
13.如权利要求7所述的硅片传输系统,其特征在于,所述硅片传输系统还包括机械手精度检测装置,所述机械手精度检测装置包括:多个第二反射式激光传感器,位于所述片库框架的第一侧面,并且分别位于窗口的上侧和左侧或上侧和右侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造