[实用新型]半导体存储器的存取装置

权利要求书

1.一种半导体存储器的存取装置，其特征在于，包括：

存储单元，连接于位线；

N型传输闸，具有第一N型传输端和第二N型传输端，所述第一N型传输端通过所述位线连接于所述存储单元，所述第二N型传输端连接于第一数据线；以及

P型传输闸，具有第一P型传输端和第二P型传输端，所述第一P型传输端通过所述位线连接于所述存储单元，所述第二P型传输端连接于第二数据线；

其中，所述存储单元用于存储高电平资料，以在电荷分享阶段与所述位线上的寄生电容进行电荷分享，使所述P型传输闸开启和所述第二数据线上的电压升高，以及使所述N型传输闸关闭和所述第一数据线上的电压保持；以及所述存储单元还用于存储低电平资料，以在所述电荷分享阶段与所述位线上的寄生电容进行电荷分享，使所述N型传输闸开启和所述第一数据线上的电压降低，以及使所述P型传输闸关闭和所述第二数据线上的电压保持。

2.根据权利要求1所述的存取装置，其特征在于，所述存取装置还包括：

第一开关晶体管，所述第一开关晶体管的栅极连接于预充信号线，所述第一开关晶体管的源极连接于预充电压，所述第一开关晶体管的漏极连接于所述第一数据线，

在预充电阶段，所述第一开关晶体管用于在所述预充信号线的控制下导通，以使所述第一数据线上的寄生电容被充电，进而使所述第一数据线上的电压等于所述预充电压，以作为所述第一数据线在所述电荷分享阶段的初始状态。

3.根据权利要求2所述的存取装置，其特征在于，所述N型传输闸还具有N型传输控制端，连接于N型传输控制电压，以及所述第一开关晶体管的漏极连接于所述第二N型传输端，

在所述预充电阶段，所述N型传输闸用于在所述N型传输控制电压的控制下开启，使所述位线上的寄生电容被充电，进而使所述位线上的电压等于所述预充电压，以作为所述位线在所述电荷分享阶段的初始状态。

4.根据权利要求3所述的存取装置，其特征在于，在所述预充电阶段，所述N型传输控制电压减去所述N型传输闸的导通电压等于所述预充电压。

5.根据权利要求2所述的存取装置，其特征在于，所述存取装置还包括：

第二开关晶体管，所述第二开关晶体管的栅极连接于预充信号线，所述第二开关晶体管的源极连接于预充电压，所述第二开关晶体管的漏极连接于所述第二数据线，

在所述预充电阶段，所述第二数据线上的寄生电容被充电，以使所述第二数据线上的电压等于所述预充电压，以作为所述第二数据线在所述电荷分享阶段的初始状态。

6.根据权利要求5所述的存取装置，其特征在于，所述P型传输闸还具有P型传输控制端，连接于P型传输控制电压，以及所述第二开关晶体管的漏极连接于所述第二P型传输端，

在所述预充电阶段，所述P型传输闸用于在所述P型传输控制电压的控制下开启，使所述位线上的寄生电容被充电，进而使所述位线上的电压等于所述预充电压，以作为所述位线在所述电荷分享阶段的初始状态。

7.根据权利要求6所述的存取装置，其特征在于，在所述预充电阶段，所述P型传输控制电压减去所述P型传输闸的导通电压等于所述预充电压。

8.根据权利要求1至7任一项所述的存取装置，其特征在于，所述N型传输闸包括NMOS晶体管，所述P型传输闸包括PMOS晶体管。

9.根据权利要求1至7任一项所述的存取装置，其特征在于，所述存取装置还包括灵敏放大器，连接于所述第一数据线和所述第二数据线，用于放大所述第一数据线和所述第二数据线之间的电压差。

10.根据权利要求1至7任一项所述的存取装置，其特征在于，所述存储单元还连接于字线，在所述电荷分享阶段，所述字线开启。