[实用新型]单体双金属板封装结构有效
申请号: | 201821119932.8 | 申请日: | 2018-07-13 |
公开(公告)号: | CN208538847U | 公开(公告)日: | 2019-02-22 |
发明(设计)人: | 章春燕;梁志忠;刘恺 | 申请(专利权)人: | 江苏长电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 苏婷婷 |
地址: | 214431 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装结构 双金属板 线路层 空腔 本实用新型 注塑孔 电性连接 空腔内部 制造成本 传统的 稳定度 注塑料 良率 封装 填充 连通 模具 外围 芯片 节约 | ||
本实用新型揭示了一种单体双金属板封装结构,所述单体双金属板封装结构包括:线路层;电性连接于所述线路层上方且与所述线路层形成空腔的第一EMI层;开设于单体双金属板封装结构外围并连通所述空腔内部的注塑孔;位于所述空腔内的芯片;以及填充所述空腔和所述注塑孔的注塑料。本实用新型的单体双金属板封装结构,无需使用传统的模具进行封装,节约制造成本,其良率及稳定度均得到大幅提升,且工艺简单。
技术领域
本实用新型属于半导体制造领域,尤其涉及一种单体双金属板封装结构。
背景技术
随着电子产品多功能化和小型化的潮流,高密度微电子组装技术在新一代电子产品上逐渐成为主流。为了配合新一代电子产品的发展,尤其是智能手机、掌上电脑、超级本等产品的发展,使得集成电路封装也向微小化、高密度、高功率、高速度的方向发展。而随着电子部件变得更小、并且在工作频率更高,由于高频芯片在运输和传输是会产生很强的电磁波,往往会对封装内的其他芯片或者封装外的电子部件的造成不期望的干扰或噪声。加上电子部件的密度过高,电子部件之间的信号传输线路的距离越来越近,使得来自集成电路封装外部或内部的芯片之间的电磁干扰(Electro-MagneticInterference,EMI)情形也日益严重。同时也会降低集成电路封的电性品质和散热效能。
为解决电磁干扰问题,现有技术往往会在封装体外表面粘贴金属盖或是镀上金属层来屏蔽电磁波的发射和接收。然而通过粘贴金属盖来实现电磁屏蔽,其金属盖和封装体的结合性往往存在问题,由于金属盖的尺寸和封装体的尺寸很难完全匹配,金属盖与封装体外表面之间往往会存在空气残留,在电子部件工作升温时往往会造成其可靠性的问题;而通过镀金属层的方式来实现电磁屏蔽,其金属层的接地一般只能辅助导体和元器件来实现接地,其工艺比较复杂,成本较高。
所以,如何克服现有技术的种种问题,更方便的提供一种可避免电磁干扰的封装结构和封装工艺,成为业界迫切解决的课题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种单体双金属板封装结构。
为了实现上述实用新型目的,本实用新型一实施方式提供一种单体双金属板封装结构,其包括:线路层;
电性连接于所述线路层上方且与所述线路层形成空腔的第一EMI层;
开设于单体双金属板封装结构外围并连通所述空腔内部的注塑孔;
位于所述空腔内的芯片;
以及填充所述空腔和所述注塑孔的注塑料。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述单体双金属板封装结构还包括:
契合所述第一EMI层外壁面设置的第二EMI层,所述第二EMI层通过所述第一EMI层与所述线路层导通。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述单体双金属板结构还包括:
设置于所述空腔外,且叠加设置于所述线路层下方的阻焊层,所述阻焊层设置有若干个开窗区域;
以及植入所述阻焊层的开窗区域以连通所述线路层的焊球。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述单体双金属板封装结构还包括:
设置于所述阻焊层上方的上金属板,所述上金属板连接于所述阻焊层并契合所述第一EMI层外壁面设置。5、根据权利要求4所述的单体双金属板封装结构,其特征在于,所述单体双金属板封装结构还包括:
契合所述上金属板外壁面设置且处于所述阻焊层上方的第二EMI层,所述第二EMI层通过所述上金属板与所述第一EMI层导通。
作为本实用新型一实施方式的进一步改进,所述注塑孔自所述第一EMI层的外壁面,延伸至所述空腔内。
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