[实用新型]晶圆加工设备有效
申请号: | 201821120550.7 | 申请日: | 2018-07-13 |
公开(公告)号: | CN208368479U | 公开(公告)日: | 2019-01-11 |
发明(设计)人: | 许振杰;王剑;王国栋;陈映松;王同庆;赵德文;沈攀;郭振宇;李昆;路新春;裴召辉;贾弘源;郑家旺;庞伶伶;刘卫国;王春龙;韩宏飞;甄辉;时亚秋 | 申请(专利权)人: | 清华大学;天津华海清科机电科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 黄德海 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 机械手 晶圆 晶圆加工 传输单元 缓存模块 清洗单元 晶圆加工设备 抛光单元 本实用新型 传输 加工设备 生产效率 系统配合 相对设置 相邻设置 种晶 邻近 灵活 生产 | ||
1.一种晶圆加工设备,其特征在于,包括:
晶圆缓存模块;
两个晶圆加工系统,两个所述晶圆加工系统相对设置且可独立工作,每个所述晶圆加工系统包括:抛光单元、第一机械手、传输单元、第二机械手和清洗单元,所述抛光单元和所述清洗单元相邻设置,所述清洗单元邻近所述晶圆缓存模块,所述第一机械手在所述晶圆缓存模块和所述传输单元之间以及所述传输单元和所述清洗单元之间运动,所述传输单元在所述第一机械手和所述第二机械手之间传输,所述第二机械手用于为所述抛光单元传输晶圆。
2.根据权利要求1所述的晶圆加工设备,其特征在于,每个所述晶圆加工系统包括两个所述抛光单元,两个抛光单元共用一个所述第二机械手。
3.根据权利要求2所述的晶圆加工设备,其特征在于,每个所述抛光单元包括:抛光盘、抛光头和装卸平台,两个所述抛光单元的所述装卸平台均邻近所述第二机械手设置。
4.根据权利要求1所述的晶圆加工设备,其特征在于,两个所述晶圆加工系统的所述抛光单元之间形成有传输通道,两个所述晶圆加工系统的所述传输单元均设置在所述传输通道内。
5.根据权利要求4所述的晶圆加工设备,其特征在于,两个所述晶圆加工系统的所述抛光单元关于所述传输通道对称布置。
6.根据权利要求1所述的晶圆加工设备,其特征在于,每个所述清洗单元包括:清洗模块、干燥模块、竖直缓存模块和翻转模块,所述清洗模块、所述干燥模块、所述竖直缓存模块和所述翻转模块并排布置。
7.根据权利要求6所述的晶圆加工设备,其特征在于,所述竖直缓存模块的侧向设置有供晶圆进出的开口。
8.根据权利要求6所述的晶圆加工设备,其特征在于,每个所述清洗单元还包括:第三机械手和第四机械手,所述第三机械手在所述清洗模块和所述竖直缓存模块的上方移动,所述第四机械手在所述清洗模块、所述干燥模块和所述翻转模块的上方移动。
9.根据权利要求1所述的晶圆加工设备,其特征在于,所述第一机械手从所述晶圆缓存模块拿取所述晶圆后,所述第一机械手翻转使所述晶圆正面朝下且将翻转后的所述晶圆放置在所述传输单元。
10.根据权利要求1所述的晶圆加工设备,其特征在于,两个所述晶圆加工系统的所述清洗单元之间留有布置空间,两个所述第一机械手和所述晶圆缓存模块设置在所述布置空间。
11.根据权利要求1所述的晶圆加工设备,其特征在于,所述第二机械手设置有两个机械臂。
12.根据权利要求1所述的晶圆加工设备,其特征在于,还包括:前端模块,所述前端模块设置于一个所述晶圆加工系统的一侧,所述前端模块向所述晶圆缓存模块供应晶圆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造