[实用新型]一种嵌入式双层结构碳化硅托盘

说明书

本实用新型公开一种嵌入式双层结构碳化硅托盘，包括盘体、第一晶圆槽、第二晶圆槽；所述盘体上表面设置有第一晶圆槽，若干第一晶圆槽在盘体上表面呈矩阵分布排列；相邻四个第一晶圆槽之间的盘体上表面设置有第二晶圆槽，若干第二晶圆槽在盘体上表面呈矩阵分布排列；所述第一晶圆槽的深度比所述第二晶圆槽的深度深，第一晶圆槽的深度为第二晶圆槽深度的两倍；所述第一晶圆槽一侧设置有夹放缺口槽，夹放缺口槽深度与第一晶圆槽深度相同；所述盘体的形状为立方体。本实用新型具有方便镊子取放托盘内的晶圆，提升LED芯片的制造效率和产能的特点。

技术领域

本实用新型涉及一种嵌入式双层结构碳化硅托盘，尤其是一种具有方便镊子取放托盘内的晶圆，提升LED芯片的制造效率和产能的嵌入式双层结构碳化硅托盘。

背景技术

LED芯片制造工艺过程中，需要溅射ITO薄膜，形成透明导电的ITO作为LED的电流扩展层；在溅射镀膜后，需要进行快速退火热处理，以降低ITO与LED外延层之间的欧姆电阻。快速退火热处理设备又叫快速退火炉，将晶圆放置在碳化硅托盘上，托盘进入退火炉中，便可以进行热处理。

现有的快速退火炉内空间有限，无法放入过多的碳化硅托盘，即无法放入过多的晶圆；如何能够在现有的退火炉中放入更多的晶圆，提升LED芯片制造的效率和产量，是当前LED芯片制造行业所需的有效产能提升手段。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种具有方便镊子取放托盘内的晶圆，提升LED芯片的制造效率和产能的嵌入式双层结构碳化硅托盘。

本实用新型的目的可以通过以下技术方案实现：

一种嵌入式双层结构碳化硅托盘，包括盘体、第一晶圆槽、第二晶圆槽；

所述盘体上表面设置有第一晶圆槽，若干第一晶圆槽在盘体上表面呈矩阵分布排列；相邻四个第一晶圆槽之间的盘体上表面设置有第二晶圆槽，若干第二晶圆槽在盘体上表面呈矩阵分布排列；

所述第一晶圆槽的深度比所述第二晶圆槽的深度深，第一晶圆槽的深度为第二晶圆槽深度的两倍；

所述第一晶圆槽一侧设置有夹放缺口槽，夹放缺口槽深度与第一晶圆槽深度相同；

所述盘体的形状为立方体；所述第一晶圆槽的形状、所述第二晶圆槽的形状均匀圆柱形槽；第一晶圆槽的直径与第二晶圆槽的直径相同；第一晶圆槽的直径比放入第一晶圆槽内的晶圆直径略大；

若干所述第一晶圆槽底面齐平；若干所述第二晶圆槽底面齐平；

第一晶圆槽、第二晶圆槽、夹放缺口槽均垂直于盘体的上表面。

本实用新型提供了一种嵌入式双层结构碳化硅托盘，具有方便镊子取放托盘内的晶圆，提升LED芯片的制造效率和产能的特点。本实用新型的有益效果：本实用新型的盘体上表面设置有第一晶圆槽，若干第一晶圆槽在盘体上表面呈矩阵分布排列；相邻四个第一晶圆槽之间的盘体上表面设置有第二晶圆槽，若干第二晶圆槽在盘体上表面呈矩阵分布排列；第一晶圆槽、第二晶圆槽均可放置晶圆，比传统托盘多了一层晶圆放置的第二晶圆槽，提升盘体的晶圆容纳量，增加快速退火炉的利用率，提升LED芯片制造的效率和产量；本实用新型的盘体上表面的第一晶圆槽直径、第二晶圆槽直径均比放入的晶圆直径略大，便于用镊子放入或拿取第一晶圆槽、第二晶圆槽里的晶圆；且第一晶圆槽的边缘设置有夹放缺口槽，镊子通过夹放缺口槽放入或拿取第一晶圆槽晶圆槽内的晶圆；第二晶圆槽边缘第一晶圆槽上的空缺，便于镊子通过空缺放入或拿取第二晶圆槽晶圆槽内的晶圆。

附图说明

为了便于本领域技术人员理解，下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。

图1为本实用新型一种嵌入式双层结构碳化硅托盘的结构示意图；

图2为本实用新型一种嵌入式双层结构碳化硅托盘的侧截面图。