[实用新型]TVS半导体器件

权利要求书

1.一种TVS半导体器件，其特征在于，包括：

所述TVS半导体器件的第一端子，所述第一端子被配置为耦接到数据线或公共线中的一个；

所述TVS半导体器件的第二端子，所述第二端子被配置为耦接到所述数据线或所述公共线中的不同一个；

P-N二极管，所述P-N二极管具有耦接到所述第二端子的阳极，并且具有耦接到所述第一端子的阴极；和

双极型晶体管，所述双极型晶体管具有耦接到所述第一端子的第一载流电极，耦接到所述第二端子的第二载流电极，以及浮置并且不直接耦接到电位的基极电极。

2.根据权利要求1所述的TVS半导体器件，其中所述TVS半导体器件形成在第一导电类型的半导体衬底上，所述半导体衬底具有形成在所述半导体衬底上的第二导电类型的第一半导体区域；和

围绕所述第一半导体区域的第一部分的第一隔离结构，其中在所述第一部分和所述半导体衬底之间的界面形成所述P-N二极管。

3.根据权利要求2所述的TVS半导体器件，还包括：

第二隔离结构，所述第二隔离结构围绕所述第一半导体区域的第二部分；

所述第一导电类型的第二半导体区域，所述第二半导体区域形成在所述第一半导体区域的所述第二部分内；和

所述第二导电类型的第三半导体区域，所述第三半导体区域形成在所述第二半导体区域内，其中所述半导体衬底形成所述双极型晶体管的集电极区域，所述第一半导体区域的所述第二部分形成所述双极型晶体管的基极电极，并且所述第三半导体区域形成所述双极型晶体管的发射极区域。

4.根据权利要求1所述的TVS半导体器件，其中所述P-N二极管的击穿电压大于所述双极型晶体管的开路基极集电极到发射极击穿电压BVeco。

5.一种TVS半导体器件，其特征在于，包括：

具有第一掺杂浓度的第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底连接到所述TVS半导体器件的第一端子，所述半导体衬底形成双极型晶体管的第一载流电极；

具有小于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的第二导电类型的第一半导体区域；

围绕所述第一半导体区域的第一部分的第一隔离结构，其中在所述半导体衬底和所述第一半导体区域的所述第一部分之间的界面形成P-N二极管；

围绕所述第一半导体区域的第二部分并且将所述第一半导体区域的所述第二部分与所述第一半导体区域的所述第一部分隔离的第二隔离结构，所述第一半导体区域的所述第二部分形成所述双极型晶体管的基极区域；和

形成在所述第一半导体区域的所述第二部分中的所述第一导电类型的第二半导体区域，所述第二半导体区域连接到所述第一半导体区域的所述第二部分并且连接到所述TVS半导体器件的第二端子，所述第二半导体区域形成所述双极型晶体管的第二载流电极。

6.根据权利要求5所述的TVS半导体器件，其中所述TVS半导体器件不具有齐纳二极管。

7.根据权利要求5所述的TVS半导体器件，其中所述P-N二极管并联连接在所述双极型晶体管的集电极和发射极之间，并且其中所述双极型晶体管的基极不直接连接到电位。

8.一种TVS半导体器件，其特征在于，包括：

并联连接在第一双极型晶体管的集电极和发射极之间的P-N二极管，其中所述第一双极型晶体管的基极浮置并且不直接连接到所述第一双极型晶体管的外部；

其中，所述P-N二极管的反向击穿电压大于所述第一双极型晶体管的开路基极集电极到发射极击穿电压BVeco。

9.根据权利要求8所述的TVS半导体器件，包括：

半导体衬底，置于所述半导体衬底上的所述P-N二极管和所述第一双极型晶体管；以及

置于所述半导体衬底上的、并联连接在对应的两个或更多个第二双极型晶体管的集电极和发射极之间的两个或更多个其他P-N二极管，其中所述两个或更多个第二双极型晶体管中的每个的基极浮置并且不直接连接到所述两个或更多个第二双极型晶体管的外部。

10.根据权利要求8所述的TVS半导体器件，其中，所述P-N二极管和所述第一双极型晶体管设置于覆盖在第二导电类型的衬底上面的具有第一导电类型的半导体区域中，所述P-N二极管形成在所述半导体区域的第一部分中，并且所述第一双极型晶体管形成在与所述半导体区域的所述第一部分隔离的所述半导体区域的第二部分中。