[实用新型]TVS半导体器件

说明书

本实用新型涉及TVS半导体器件。在一个实施方案中，TVS半导体器件包括第一端子，被配置为耦接到数据线或公共线中的一个；第二端子，被配置为耦接到所述数据线或所述公共线中的不同一个；P‑N二极管，具有耦接到所述第二端子的阳极，并且具有耦接到所述第一端子的阴极；和双极型晶体管，具有耦接到所述第一端子的第一载流电极，耦接到所述第二端子的第二载流电极，以及浮置并且不直接耦接到电位的基极电极。

技术领域

本实用新型整体涉及电子器件，并且更具体地讲，涉及TVS半导体器件。

背景技术

过去，电子工业通常利用瞬态电压抑制器(TVS)来保护在器件之间通过连接件(诸如导线或电缆)互连的电子器件或电子设备。连接件可以是电源连接件或者在充电器和另一种器件(诸如手机)之间或在其他类型的设备或器件之间的导线，或者连接件可以是在两件设备或器件之间(诸如在两台计算机，或相机和计算机，或手机和计算机等之间)的数据线或数据连接件。

TVS器件通常作为齐纳二极管实现，该齐纳二极管连接在连接件(诸如在导线或电缆之间)和公共返回电压(诸如地电压或其他公共参考电压)之间。在一些应用中，TVS器件没有足够低的钳位电压来充分保护电子器件或设备。另外，在一些应用中，设备或器件可经受足够高以损坏TVS器件的瞬态电压。

因此，期望具有这样的TVS器件，该TVS器件具有较低的钳位电压，或者可经受住较大的瞬态事件或其电压。

实用新型内容

一方面，提供一种TVS半导体器件，包括：所述TVS半导体器件的第一端子，所述第一端子被配置为耦接到数据线或公共线中的一个；所述TVS半导体器件的第二端子，所述第二端子被配置为耦接到所述数据线或所述公共线中的不同一个；P-N二极管，所述P-N二极管具有耦接到所述第二端子的阳极，并且具有耦接到所述第一端子的阴极；和双极型晶体管，所述双极型晶体管具有耦接到所述第一端子的第一载流电极，耦接到所述第二端子的第二载流电极，以及浮置并且不直接耦接到电位的基极电极。

另一方面，提供一种TVS半导体器件，包括：具有第一掺杂浓度的第一导电类型的半导体衬底，所述半导体衬底连接到所述TVS半导体器件的第一端子，所述半导体衬底形成双极型晶体管的第一载流电极；具有小于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的第二导电类型的第一半导体区域；围绕所述第一半导体区域的第一部分的第一隔离结构，其中在所述半导体衬底和所述第一半导体区域的所述第一部分之间的界面形成P-N二极管；围绕所述第一半导体区域的第二部分并且将所述第一半导体区域的所述第二部分与所述第一半导体区域的所述第一部分隔离的第二隔离结构，所述第一半导体区域的所述第二部分形成所述双极型晶体管的基极区域；和形成在所述第一半导体区域和所述第二半导体区域的所述第二部分中的所述第一导电类型的第二半导体区域，所述第二半导体区域通常连接到所述第一半导体区域的所述第二部分并且连接到所述TVS半导体器件的第二端子，所述第二半导体区域形成所述双极型晶体管的第二载流电极。

又一方面，提供一种TVS半导体器件，包括：并联连接在双极型晶体管的集电极和发射极之间的P-N二极管，其中所述双极型晶体管的基极浮置并且不直接连接到所述双极型晶体管的外部；其中，所述P-N二极管的反向击穿电压大于所述双极型晶体管的开路基极集电极到发射极击穿电压(Bveco)。

附图说明

图1示意性地示出根据本实用新型的系统的一部分的实施方案的示例，该系统包括TVS；

图2示出根据本实用新型的图1的TVS的一部分的实施方案的示例的放大平面图；

图3示出根据本实用新型的图2的TVS的放大剖视图；

图4示意性地示出根据本实用新型的另一个TVS的一部分的实施方案的示例，该TVS可以是图1-图3的TVS的替代实施方案；

图5示出根据本实用新型的图4的TVS的一部分的实施方案的示例的放大剖视图；