[实用新型]一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件有效
| 申请号： | 201821141262.X | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN208507682U | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 陈利;陈译;陈剑;姜帆;张军亮 | 申请（专利权）人： | 厦门芯一代集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427 | 代理人： | 陈娟 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国(福建)*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 散热片 连接孔 电路板 本实用新型 功率MOSFET器件 散热片固定 表面开设 散热机构 屏蔽槽 接孔 电路板接触 固定散热片 结构科学 使用寿命 周围空气 有效地 传导 焊接 贯通 稳固 散发 | ||
【权利要求书】：
1.一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件，包括外壳(1)，其特征在于：还包括散热机构，所述散热机构为散热片(3)，所述散热片(3)固定于所述外壳(1)的底部，所述散热片(3)的表面开设有连接孔(4)，且连接孔(4)贯通所述散热片(3)，所述外壳(1)的底部开设有和所述连接孔(4)对应的外壳接孔(5)。
2.根据权利要求1所述的一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件，其特征在于：所述外壳(1)的侧表面对立设置有若干个引脚(2)，且上述引脚(2)贯通所述外壳(1)的侧表面，并与所述外壳(1)的内部焊接。
3.根据权利要求1所述的一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件，其特征在于：所述散热片(3)的长度大于所述外壳(1)的长度3-5mm。
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