[实用新型]一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件

说明书

本实用新型公开了一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件，包括外壳，还包括散热机构，所述散热机构为散热片，所述散热片固定于所述外壳的底部，所述散热片的表面开设有连接孔，且连接孔贯通所述散热片，所述外壳的底部开设有和所述连接孔对应的外壳接孔；本实用新型的有益效果是：本实用新型结构科学合理，使用安全方便，通过在外壳的底部固定散热片，并通过散热片的表面开设的连接孔和外壳的底部开设的外壳接孔将散热片固定稳固，当MOSFET器件焊接在电路板上时，散热片和电路板接触，使MOSFET器件以及电路板发出的热量更有效地传导到散热片上，再经散热片散发到周围空气中去，延长电路板以及MOSFET器件的使用寿命。

技术领域

本实用新型属于MOSFET器件技术领域，具体涉及一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件。

背景技术

金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同，可分为“N型”与“P型”的两种类型。

然而现有的屏蔽槽栅功率MOSFET器件在使用时仍然存在着一些不合理的因素，现有的屏蔽槽栅功率MOSFET器件焊接在电路板上时，由于外壳直接和电路板焊接，由于屏蔽槽栅功率MOSFET器件和电路板紧密接触，散热效率低下，容易造成电路板的损坏。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件，以解决上述背景技术中提出的现有的屏蔽槽栅功率MOSFET器件在使用时仍然存在着一些不合理的因素，现有的屏蔽槽栅功率MOSFET器件焊接在电路板上时，由于外壳直接和电路板焊接，由于屏蔽槽栅功率MOSFET器件和电路板紧密接触，散热效率低下，容易造成电路板的损坏问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种屏蔽槽栅功率MOSFET器件，包括外壳，还包括散热机构，所述散热机构为散热片，所述散热片固定于所述外壳的底部，所述散热片的表面开设有连接孔，且连接孔贯通所述散热片，所述外壳的底部开设有和所述连接孔对应的外壳接孔。

优选的，所述外壳的侧表面对立设置有若干个引脚，且上述引脚贯通所述外壳的侧表面，并与所述外壳的内部焊接。

优选的，所述散热片的长度大于所述外壳的长度3-5mm。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型结构科学合理，使用安全方便，通过在外壳的底部固定散热片，并通过散热片的表面开设的连接孔和外壳的底部开设的外壳接孔将散热片固定稳固，当MOSFET器件焊接在电路板上时，散热片和电路板接触，使MOSFET器件以及电路板发出的热量更有效地传导到散热片上，再经散热片散发到周围空气中去，延长电路板以及MOSFET器件的使用寿命。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的散热片侧视结构示意图；

图3为本实用新型的散热片剖视结构示意图；

图4为本实用新型的外壳仰视结构示意图；

图5位平面N沟道增强型MOSFET的剖面图；

图6为屏蔽槽栅功率MOSFET器件提供负压的互补电路图；

图中：1、外壳；2、引脚；3、散热片；4、连接孔；5、外壳接孔。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例1