[实用新型]一种单晶炉副炉分离结构有效
申请号: | 201821145297.0 | 申请日: | 2018-07-18 |
公开(公告)号: | CN208717463U | 公开(公告)日: | 2019-04-09 |
发明(设计)人: | 贡梦涛 | 申请(专利权)人: | 常州益群新能源科技有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 单晶炉 副炉室 定位螺栓 隔离阀 法兰 本实用新型 定位螺母 法兰表面 分离结构 离合结构 螺纹孔 腰形孔 主炉室 副炉 炉盖 穿过 技术方案要点 下级 内螺纹连接 单独分离 连通设置 螺纹连接 圆周阵列 抵接 底座 硅晶 通孔 制造 改进 | ||
本实用新型公开了一种单晶炉副炉分离结构,属于硅晶制造领域,旨在提供一种可实现副炉室和隔离阀室共同或单独分离的单晶炉,其技术方案要点是,包括底座、主炉室和副炉室,所述主炉室顶部设有炉盖,所述炉盖与副炉室底部之间连通设置有隔离阀室,所述副炉室与隔离阀室之间设有离合结构,所述离合结构包括下级法兰和上级法兰,所述下级法兰表面圆周阵列有若干一级螺纹孔,所述一级螺纹孔内螺纹连接有一级定位螺栓,所述上级法兰上开设有若干供一级定位螺栓穿过的一级腰形孔,所述一级定位螺栓顶部螺纹连接有与上级法兰表面抵接的一级定位螺母,若干所述一级腰形孔的一端扩大并形成供一级定位螺母穿过的扩张通孔。本实用新型适用于单晶炉改进。
技术领域
本实用新型涉及单晶炉,特别涉及一种单晶炉副炉分离结构。
背景技术
单晶炉是一种在惰性气体环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。单晶炉一般分为主炉室和副炉室,晶硅原料在主炉室内加热,并在副炉室内通过直拉法形成成型硅晶,在副炉室内成型结束后,需要将副炉室与从单晶炉上分离,副炉室会被转移到其他设备上进行后续加工。
现有技术中,为保持分离时主炉室内的气压稳定,一般会在副炉室和主炉室之间增设隔离阀室。当需要对主炉室内进行加料,或对主炉室进行清理和检修工作时,需要先将副炉室分离,操作人员再将隔离阀室分离,由于主炉室顶部的位置较高,且主炉室温度也较高,操作人员在分离隔离阀室时,操作不便,并且自身的安全很难保障,容易引发安全事故。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种单晶炉副炉分离结构,具有可实现副炉室和隔离阀室共同或单独分离的效果。
本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:
一种单晶炉副炉分离结构,包括底座、主炉室和副炉室,所述主炉室置于底座上,所述主炉室底部设有下级传动装置,所述主炉室顶部设有炉盖,所述炉盖与副炉室底部之间连通设置有隔离阀室,所述隔离阀室内设有主炉室隔离阀,所述副炉室顶部设有上级传动装置,所述副炉室炉体上设有抬升旋转装置,所述副炉室与隔离阀室之间设有离合结构,所述离合结构包括下级法兰和上级法兰,所述下级法兰与隔离阀顶部连接,所述下级法兰表面周沿圆周阵列有若干一级螺纹孔,所述一级螺纹孔内螺纹连接有一级定位螺栓,所述上级法兰与副炉室底部连接,所述上级法兰上开设有若干供一级定位螺栓穿过的一级腰形孔,所述一级定位螺栓顶部螺纹连接有与上级法兰表面抵接的一级定位螺母,若干所述一级腰形孔的一端扩大并形成恰好供一级定位螺母穿过的扩张通孔。
通过采用上述技术方案,硅晶成型后,上级传动装置将成型硅晶引拉至副炉室中,将隔离阀室内的主炉室隔离阀关闭,使得主炉室内处于密封状态。将一级定位螺母与一级腰形孔的扩张通孔重合,启动抬升旋转装置,由于一级定位螺母对上级法兰不存在限位作用,故副炉室在抬升旋转装置的作用下先竖直向上运动并与隔离阀室脱离,再转移到其他装置上进一步加工。当需要对主炉室内进行修理或清洁时,可先解除主炉室与隔离阀室之间的固定,将一级定位螺母朝向远离扩张通孔的方向运动,启动抬升旋转装置后,一级定位螺母对上级法兰产生限位作用,副炉室和隔离阀室在抬升旋转装置的作用下共同向上运动并与主炉室脱离,工作人员可以对主炉室内进行修理或清洁工作。与传统方式相比,离合结构的设置使得隔离阀室的拆装由抬升旋转装置完成,减少人力的使用,也使得拆装过程更加安全。
进一步的,相邻所述一级腰形孔之间开设有二级腰形孔,所述二级腰形孔的孔径保持不变,所述下级法兰表面上与二级腰形孔对应的位置圆周阵列有若干二级螺纹孔,所述二级螺纹孔内螺纹连接有二级定位螺栓。
通过采用上述技术方案,当上级法兰旋转时,一级定位螺栓在一级腰形孔内向扩张通孔移动时,由于扩张通孔的孔径大于一级定位螺栓直径,上级法兰的位置可能由于晃动而产生改变。二级腰形孔和二级定位螺栓的设置使得上级法兰旋转在旋转的整个过程中轴向的相对位置不易产生改变,令旋转过程更加稳定。
进一步的,所述一级定位螺母为锥形螺母。
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