[实用新型]一种半导体晶圆清洗装置

权利要求书

1.一种半导体晶圆清洗装置，其特征在于，包括清洗槽、晶圆承载机构、升降机构、循环冲洗机构、张力检测机构、超声波发生机构以及磁力发生机构，所述清洗槽中储存有去离子水，所述升降机构设置在所述清洗槽内，所述晶圆承载机构设置在所述升降机构的顶部并在所述升降机构的带动下相对所述清洗槽升降，所述循环冲洗机构具有进液端和多个出液端，所述进液端设置在所述清洗槽的底部，多个所述出液端均设置在所述清洗槽的顶部并伸入所述清洗槽，所述张力检测机构与所述冲洗机构连接，用于检测通过所述循环冲洗机构的所述去离子水的表面张力值，所述磁力发生机构均设置在所述清洗槽的周缘并与所述张力检测机构电连接，用于依据所述表面张力值在所述清洗槽内形成磁场，所述超声波发生机构设置在所述清洗槽的底部，用于向所述清洗槽内的所述去离子水提供超声波。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆清洗装置，其特征在于，所述循环冲洗机构包括循环主管、增压泵、分路器、多个循环支管和多个冲洗喷嘴，所述循环主管的一端固定连接于所述清洗槽的底部，所述循环主管的另一端与所述分路器连接，所述分路器分别与多个所述循环支管连接，多个所述循环支管远离所述分路器的一端均固定连接于所述清洗槽的顶部外周壁并伸入所述清洗槽，多个所述冲洗喷嘴一一对应地与多个所述循环支管远离所述分路器的一端连接并与所述晶圆承载机构相对设置，所述增压泵设置在所述循环主管上，所述张力检测机构与所述循环主管连接。

3.根据权利要求2所述的半导体晶圆清洗装置，其特征在于，每个所述冲洗喷嘴均开设有多个雾化出液孔，多个所述雾化出液孔均与对应的所述循环支管连通。

4.根据权利要求2所述的半导体晶圆清洗装置，其特征在于，所述张力检测机构包括张力计和控制器，所述张力计设置在所述循环主管上，所述控制器分别与所述张力计和所述磁力发生机构电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体晶圆清洗装置，其特征在于，所述磁力发生机构包括第一磁场发生器和第二磁场发生器，所述第一磁场发生器设置在所述清洗槽的一侧，所述第二磁场发生器设置在所述清洗槽的另一侧，所述第一磁场发生器和所述第二磁场发生器均与所述控制器电连接。

6.根据权利要求1所述的半导体晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆承载机构包括承载盘与承载座，所述承载座固定设置在所述升降机构的顶部，所述承载盘设置在所述承载座上，且所述承载盘上设置有多个晶圆容置槽，多个所述晶圆容置槽相互平行。

7.根据权利要求6所述的半导体晶圆清洗装置，其特征在于，所述承载盘的边缘还设置有围板，所述围板与所述承载盘共同形成一装夹空腔，用于容置晶圆。

8.根据权利要求6所述的半导体晶圆清洗装置，其特征在于，所述升降机构包括底座、升降架和牵引绳，所述底座固定设置在所述清洗槽的底壁上，所述升降架的底端与所述底座固定连接，所述升降架的顶端与承载座固定连接，所述牵引绳的一端与所述升降架的顶端固定连接。

9.根据权利要求1所述的半导体晶圆清洗装置，其特征在于，所述超声波发生机构包括超声波换能器、超声波电源和集束围板，所述集束围板固定设置在所述清洗槽的底部周缘并与所述清洗槽的底部共同形成一容置内腔，所述超声波换能器设置在所述容置内腔中并贴合设置在所述清洗槽的底部，所述超声波电源设置在所述容置内腔中并与所述超声波换能器电连接。

10.一种半导体晶圆清洗装置，其特征在于，包括清洗槽、晶圆承载机构、升降机构、循环冲洗机构、张力检测机构、超声波发生机构、磁力发生机构以及驱动机构，所述清洗槽中储存有去离子水，所述升降机构设置在所述清洗槽内，所述晶圆承载机构设置在所述升降机构的顶部并在所述升降机构的带动下相对所述清洗槽升降，所述循环冲洗机构具有进液端和多个出液端，所述进液端设置在所述清洗槽的底部，多个所述出液端均设置在所述清洗槽的顶部并伸入所述清洗槽，所述张力检测机构与所述冲洗机构连接，用于检测通过所述循环冲洗机构的所述去离子水的表面张力值，所述磁力发生机构均设置在所述清洗槽的周缘并与所述张力检测机构电连接，用于依据所述表面张力值在所述清洗槽内形成磁场，所述超声波发生机构设置在所述清洗槽的底部，用于向所述清洗槽内的所述去离子水提供超声波；所述驱动机构与所述升降机构连接，用于驱动所述升降机构运动。