[实用新型]一种半导体晶圆清洗装置

说明书

本实用新型提供了一种半导体晶圆清洗装置，涉及半导体工艺技术领域，该半导体晶圆清洗装置包括清洗槽、晶圆承载机构、升降机构、循环冲洗机构、张力检测机构、超声波发生机构以及磁力发生机构，升降机构设置在清洗槽内，晶圆承载机构设置在升降机构的顶部并在升降机构的带动下相对清洗槽升降，循环冲洗机构的进液端设置在清洗槽的底部，张力检测机构与冲洗机构连接，磁力发生机构均设置在清洗槽的周缘并与张力检测机构电连接，超声波发生机构设置在清洗槽的底部。相较于现有技术，本实用新型提供的一种半导体晶圆清洗装置，能够彻底清洗晶圆表面，同时能够避免残留的去离子水破坏晶圆表面的结构，保证晶圆的质量。

技术领域

本实用新型涉及半导体工艺技术领域，具体而言，涉及一种半导体晶圆清洗装置。

背景技术

在随着集成电路特征尺寸进入到深压微米阶段，集成电路晶片制造工艺中所要求的晶片表面的洁净度越来越苛刻，为了保证晶片材料表面的洁净度，集成电路的制造工艺中存在数百道清洗工序，清洗工序占了整个制造过程的20％以上。

现有的清洗工艺通常采用将晶圆利用酸碱有机物等液体化学品等进行浸泡或冲洗，用以达到清洗表面颗粒、去除反应聚合物、刻蚀表面膜层等目的，在化学液体清洗晶圆表面颗粒后，通常使用去离子水将化学液体冲洗去除，再通过各种干燥方式取出晶圆表面残留的去离子水。现有技术中，通常是将晶圆放入盛有去离子水的清洗槽中进行清洗，清洗完后直接将清洗后的去离子水排走或者将晶圆取出，在经过干燥装置进行干燥。在清洗完晶圆等待干燥的过程中，晶圆表面残留有少许去离子水，由于残留的去离子水滴具有一定的表面张力，可能会对晶圆表面的各个特殊结构造成破坏，影响晶圆质量。此外，现有技术中简单通过浸泡等方式难以彻底去除晶圆表面的化学液体，对后续工艺也会造成不好的影响。

有鉴于此，设计制造出一种能够彻底清洗晶圆表面，同时能够避免残留的去离子水破坏晶圆结构的半导体晶圆清洗装置就显得尤为重要。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体晶圆清洗装置，能够彻底清洗晶圆表面，同时能够避免残留的去离子水破坏晶圆表面的结构，保证晶圆的质量。

本实用新型是采用以下的技术方案来实现的。

一种半导体晶圆清洗装置，包括清洗槽、晶圆承载机构、升降机构、循环冲洗机构、张力检测机构、超声波发生机构以及磁力发生机构，清洗槽中储存有去离子水，升降机构设置在清洗槽内，晶圆承载机构设置在升降机构的顶部并在升降机构的带动下相对清洗槽升降，循环冲洗机构具有进液端和多个出液端，进液端设置在清洗槽的底部，多个出液端均设置在清洗槽的顶部并伸入清洗槽，张力检测机构与冲洗机构连接，用于检测通过循环冲洗机构的去离子水的表面张力值，磁力发生机构均设置在清洗槽的周缘并与张力检测机构电连接，用于依据表面张力值在清洗槽内形成磁场，超声波发生机构设置在清洗槽的底部，用于向清洗槽内的去离子水提供超声波。

进一步地，循环冲洗机构包括循环主管、增压泵、分路器、多个循环支管和多个冲洗喷嘴，循环主管的一端固定连接于清洗槽的底部，循环主管的另一端与分路器连接，分路器分别与多个循环支管连接，多个循环支管远离分路器的一端均固定连接于清洗槽的顶部外周壁并伸入清洗槽，多个冲洗喷嘴一一对应地与多个循环支管远离分路器的一端连接并与晶圆承载机构相对设置，增压泵设置在循环主管上，张力检测机构与循环主管连接。

进一步地，每个冲洗喷嘴均开设有多个雾化出液孔，多个雾化出液孔均与对应的循环支管连通。

进一步地，张力检测机构包括张力计和控制器，张力计设置在循环主管上，控制器分别与张力计和磁力发生机构电连接。

进一步地，磁力发生机构包括第一磁场发生器和第二磁场发生器，第一磁场发生器设置在清洗槽的一侧，第二磁场发生器设置在清洗槽的另一侧，第一磁场发生器和第二磁场发生器均与控制器电连接。