[实用新型]玻璃承载模具有效
申请号: | 201821167898.1 | 申请日: | 2018-07-23 |
公开(公告)号: | CN208521913U | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
发明(设计)人: | 肖新来 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L31/18;C23C14/50 |
代理公司: | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人: | 刘诚 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 玻璃 支撑梁 镀膜 承载 模具 衬底 组对 平行 变形量变 衬底接触 第一表面 镀膜过程 两端固定 共蒸发 单点 变形 失败 申请 | ||
本申请涉及一种玻璃承载模具,用于承载待镀膜的玻璃衬底。所述玻璃承载模具包括:框架、至少两条支撑梁,其中至少两条支撑梁中的每条支撑梁设置于所述框架内,且所述支撑梁与所述框架的第一组对边平行,所述支撑梁的两端固定连接于所述框架的第二组对边;当所述玻璃承载模具承载所述待镀膜的玻璃衬底时,所述框架的第一表面和所述支撑梁均与所述待镀膜的玻璃衬底接触。上述玻璃承载模具通过在框架内设置多条相互平行的支撑梁平均分担待镀膜的玻璃衬底的重量,使得共蒸发镀膜过程中所述待镀膜的玻璃衬底单点位置的玻璃变形量变小,大大减少了由于玻璃变形导致镀膜失败的几率。
技术领域
本申请涉及镀膜技术领域,特别是涉及一种玻璃承载模具。
背景技术
CIGS太阳能电池是太阳能薄膜电池Cu(InXGa1-X)Se2的简写,其主要组成成分有Cu(铜),In(铟),Ga(镓)和Se(硒)。CIGS太阳能电池片具有光吸收能力强,发电稳定性好,转化效率高,白天发电时间长,发电量高,生产成本低以及能源回收周期短等优点。CIGS太阳能电池片的重要组成成分是其中的CIGS膜层。CIGS膜层一般通过共蒸发的方式镀在待镀膜的玻璃衬底上,作为P型半导体材料。
在待镀膜的玻璃衬底上进行共蒸发镀膜时,需要使用玻璃承载模具。玻璃承载模具也称carrier,用于承载待镀膜的玻璃衬底。常规浮法玻璃的玻璃相转变温度是550℃,玻璃在临近这个温度下的抗变形能力较差。而共蒸发镀膜工艺实际的加热温度为530℃-550℃,刚好临近玻璃的相变温度。玻璃承载模具一般是一个长方形的框体,在其承载待镀膜的玻璃衬底在高温环境中进行镀膜时,随着工作温度的上升,工作温度临近玻璃的相变温度。此时玻璃的抗变形能力较差,很容易出现因自身重力而产生变形,导致玻璃衬底无法正常驶出镀膜设备或直接破碎的问题。
传统方案中的玻璃承载模具为了解决这一问题,一般在模具的中间添加一根支撑横梁,使其在镀膜过程中起支撑作用,减少玻璃衬底的形变。但是处于模具中间位置的横梁只能减少玻璃衬底在横梁位置的形变,并不能有效的承载玻璃衬底其他位置产生的形变,无法彻底、有效的解决玻璃整体变形的问题。
实用新型内容
基于此,有必要针对用于共蒸发镀膜的玻璃衬底在共蒸发镀膜时容易产生形变的问题,提供一种用于承载待镀膜的玻璃衬底的玻璃承载模具。
一种玻璃承载模具,用于承载待镀膜的玻璃衬底,所述玻璃承载模具包括:
框架,至少两条支撑梁,其中:
至少两条支撑梁中的每条支撑梁设置于所述框架内,且所述支撑梁与所述框架的第一组对边平行,所述支撑梁的两端固定连接于所述框架的第二组对边;
当所述玻璃承载模具承载所述待镀膜的玻璃衬底时,所述框架的第一表面和所述支撑梁均与所述待镀膜的玻璃衬底接触。
上述玻璃承载模具,使用至少两条支撑梁分担待镀膜的玻璃衬底的重量,使得在共蒸发镀膜过程中所述待镀膜的玻璃衬底单点位置的玻璃变形量变小,大大减少了由于玻璃衬底变形导致镀膜失败的几率。
在其中一个实施例中,所述玻璃承载模具还包括定位销,设置于所述框架的第一表面上,所述定位销用于定位所述待镀膜的玻璃衬底。
在其中一个实施例中,所述至少两条支撑梁等间隔设置。
上述玻璃承载模具,使用多条等间隔设置的支撑梁平均分担待镀膜的玻璃衬底的重量,使得在共蒸发镀膜过程中所述待镀膜的玻璃衬底单点位置的玻璃变形量大大减小。
在其中一个实施例中,所述支撑梁的两端分别焊接于所述框架的第二组对边。
在其中一个实施例中,所述支撑梁的直径不大于对镀膜后的所述待镀膜的玻璃衬底进行机械刻划时的机械刻划槽宽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造