[实用新型]一种用于光电零部件的退火炉有效
申请号: | 201821189167.7 | 申请日: | 2018-07-25 |
公开(公告)号: | CN208655582U | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 范银波 | 申请(专利权)人: | 苏州珮凯科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高温炉体 保温隔板 低温炉 退火炉 炉体 零部件 天然气加热方式 设备技术领域 保温结构层 本实用新型 电加热方式 零部件加工 拆卸更换 电加热片 可拆卸式 能耗损失 热量损失 蓄热燃烧 插接块 排气管 再利用 一分为二 加热 生产成本 室内 分割 | ||
本实用新型涉及光电零部件加工设备技术领域,具体涉及一种用于光电零部件的退火炉。炉体通过保温隔板层一分为二,分割成高温炉体和低温炉体两部分,高温炉体采用天然气加热方式,低温炉体采用电加热片加热,解决现有技术中全靠电加热方式造成电能昂贵的问题,大大降低了生产成本,而且高温炉体的热量通过排气管经过滤器处理后再次进入到蓄热燃烧室内再利用,大大降低了能耗损失;而且保温结构层和保温隔板层均通过插接块可拆卸式与炉体连接,降低热量损失的同时拆卸更换也十分方便。
技术领域
本实用新型涉及光电零部件加工设备技术领域,具体涉及一种用于光电零部件的退火炉。
背景技术
光电技术领域使用的零部件,往往对清洁度的要求较高,微小的杂质和尘埃都会影响半导体的性能。因此在光电领域内清洗、清洁技术是非常重要的一系列技术,很多工艺要在洁净室完成。
退火炉是半导体光电零部件制造中使用的一种工艺设备,是热处理炉中的一种,主要用于表面淬火件回火,焊件消除应力退火、时效等热处理工艺。加热方式有电加热、燃油、燃气、燃煤和热风循环。现有技术中的用于半导体光电零部件的退火炉通常采用电加热的方式,消耗大量的电能,造成企业生产成本高,而且燃烧后的尾气含有大量的热量直接排出既造成环境污染的同时也造成能量的浪费;同时有的退火炉为了降低能耗通常会采用保温隔热技术,但是现有技术中的保温隔热结构通常是嵌设在炉壁内层结构中,拆卸更换麻烦设置不可拆卸。
实用新型内容
为解决上述存在的问题,本实用新型的目的在于提供一种用于光电零部件的退火炉。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种用于光电零部件的退火炉,包括炉体,所述炉体为正面开口结构且正面开口位置处设有密封门,所述炉体一分为二包括第一炉体和第二炉体,所述第一炉体和第二炉体中间设有保温隔板层,所述炉体内壁四周均设有保温结构层;
所述第一炉体底端连接有进气管,所述进气管和第一过滤器一端连接,所述第一过滤器另一端通过出气管连接,所述出气管和蓄热燃烧装置的出风端口连接,所述蓄热燃烧装置和鼓风机连接,所述第一炉体顶端连接有排气管,所述排气管上设有第二过滤器,所述排气管和蓄热燃烧装置的第二进气端口连接,所述蓄热燃烧装置上还设有第一进气端口且和天然气管连通;
所述第二炉体两侧内壁上均匀设有若干电加热片;
所述第一炉体顶端面设有第一温度传感器,所述第二炉体顶端面设有第二温度传感器。
优选地,所述第一炉体为高温炉体,所述第二炉体为低温炉体。
优选地,所述保温结构层包括上保温结构层、下保温结构层、侧保温结构层和内保温结构层,所述上保温结构层设置于所述炉体内顶板上,所述下保温结构层设置在炉体内底板上,所述侧保温结构层设置在所述炉体内侧板上,所述内保温结构层设置在所述炉体内面板上,所述内面板为与炉体正面开口相对的面板。
优选地,所述侧保温结构层通过第一插接块可拆卸固定于炉体内侧板上。
优选地,所述第一插接块横截面为L字型且所述第一插接块固定连接在炉体内侧板上下。
优选地,所述保温隔板层为三层复合结构,包括中间的隔板和外层的保温层。
优选地,所述保温隔板层通过设置于炉体内上保温结构层和下保温结构层上的第二插接块可拆卸式固定于第一炉体和第二炉体中间。
优选地,所述第二插接块横截面呈凵字型。
优选地,所述第二插接块和上保温结构层及下保温结构层之间为可拆卸连接。
优选地,所述蓄热燃烧装置上还设有烟雾处理装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造