[实用新型]一种碳化硅MOSFET驱动电路有效
| 申请号： | 201821191053.6 | 申请日： | 2018-07-26 |
| 公开（公告）号： | CN208337533U | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 张涛 | 申请（专利权）人： | 深圳市蓝德汽车电源技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/687 | 分类号： | H03K17/687;H03K17/60;H03K17/74;H03K17/0416;H03K17/16 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 谈杰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电容 二极管 电阻 碳化硅MOSFET 本实用新型 抗干扰能力 驱动变压器 驱动电路 导通 辅助放电 驱动电容 输出绕组 输入绕组 栅极驱动 三极管 碳化硅 关断 噪声 驱动 引入 | ||
1.一种碳化硅MOSFET驱动电路，其特征在于：包括驱动变压器T4、二极管D14、电容C60、电阻R51、三极管V14、二极管D10、电阻R55、MOS管V4、二极管D13、电容C59、电阻R112、电阻R113、电阻R10、电容C61、二极管D15、二极管D7、MOS管Q14，所述驱动变压器T4的一个输出端同时连接二极管D14及电容C60的一端，二极管D14及电容C60的另一端同时连接电阻R51的一端、电阻R55的一端、MOS管V4的G极、二极管D10的正极，所述电阻R51的另一端连接三极管V14的基极，三极管V14的发射极同时连接MOS管V4的S极、二极管D10及二极管D13的负极、电阻R113的一端及电阻R55的另一端，所述三极管V14的集电极同时连接MOS管V4的D极及电阻R112的一端，所述电阻R112的另一端连接二极管D7的正极，所述二极管D13的正极同时连接电容C59的一端、电阻R113的另一端、电阻R10的一端、所述MOS管Q14的G极，MOS管Q14的S极、电阻R10的另一端、电容C59的另一端、二极管D7的负极、二极管D15及电容C61的一端同时接地，所述二极管D15及电容C61的另一端同时接驱动变压器T4的另一输出端。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOSFET驱动电路，其特征在于：所述三极管V14为PNP型三极管。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOSFET驱动电路，其特征在于：所述二极管D15、二极管D10为稳压二极管。
4.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOSFET驱动电路，其特征在于：所述MOS管V4为P沟道MOS管。
5.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOSFET驱动电路，其特征在于：所述MOS管Q14为碳化硅MOS管。
6.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOSFET驱动电路，其特征在于：所述驱动变压器T4的输入绕组与输出绕组同相。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市蓝德汽车电源技术有限公司，未经深圳市蓝德汽车电源技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201821191053.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电源控制电路及电源控制装置
- 下一篇：一种可控硅的负载控制电路
