[实用新型]一种碳化硅MOSFET驱动电路

说明书

本实用新型公开了一种碳化硅MOSFET驱动电路，包括驱动变压器T4、二极管D14、电容C60、电阻R51、三极管V14、二极管D10、电阻R55、MOS管V4、二极管D13、电容C59、电阻R112、电阻R113、电阻R10、电容C61、二极管D15、二极管D7、MOS管Q14，MOS管Q14为要驱动的碳化硅NMOSFET，驱动变压器T4输入绕组与输出绕组同相，电容C59为MOS管Q14的栅极驱动电容，电容C59提高了MOS管Q14的抗干扰能力，防止噪声等引起的误导通。本实用新型引入了MOS管驱动电容的辅助放电通路，大幅提升了MOS管的关断速度，消除了缓慢导通造成的隐患，同时提高了导通效率及抗干扰能力。

技术领域

本实用新型涉及电子驱动技术领域，特别是涉及一种碳化硅MOSFET驱动电路。

背景技术

随着电力电子技术的发展，功率MOSFET的应用得到了长足的发展。MOSFET是一种电压驱动型半导体器件，由于其驱动功率小，工作频率高，热稳定性好，因此被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源、马达驱动、照明调光等。

目前常见的MOSFET驱动主要有栅源浮动电源驱动、变压器隔离驱动、自举驱动和集成电路驱动等，这些驱动电路的缺点是：(1)栅源浮动电源驱动需要隔离电源，电平转换电路错综复杂；(2)变压器隔离驱动运用于宽占空比范围时，技术复杂，且在频率下降时，变压器尺寸显著增加；(3)自举驱动的占空比和开通时间都受自举电容刷新的限制；(4)集成电路驱动供选择的芯片型号较少。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种碳化硅MOSFET驱动电路，以解决上述背景技术中存在的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型通过下述技术方案来解决：

一种碳化硅MOSFET驱动电路，包括驱动变压器T4、二极管D14、电容C60、电阻R51、三极管V14、二极管D10、电阻R55、MOS管V4、二极管D13、电容C59、电阻R112、电阻R113、电阻R10、电容C61、二极管D15、二极管D7、MOS管Q14，所述驱动变压器T4的一个输出端同时连接二极管D14及电容C60的一端，二极管D14及电容C60的另一端同时连接电阻R51的一端、电阻R55的一端、MOS管V4的G极、二极管D10的正极，所述电阻R51的另一端连接三极管V14的基极，三极管V14的发射极同时连接MOS管V4的S极、二极管D10及二极管D13的负极、电阻R113的一端及电阻R55的另一端，所述三极管V14的集电极同时连接MOS管V4的D极及电阻R112的一端，所述电阻R112的另一端连接二极管D7的正极，所述二极管D13的正极同时连接电容C59的一端、电阻R113的另一端、电阻R10的一端、所述MOS管Q14的G极，MOS管Q14的S极、电阻R10的另一端、电容C59的另一端、二极管D7的负极、二极管D15及电容C61的一端同时接地，所述二极管D15及电容C61的另一端同时接驱动变压器T4的另一输出端。

优选的，所述三极管V14为PNP型三极管。

优选的，所述二极管D15、二极管D10为稳压二极管。

优选的，所述MOS管V4为P沟道MOS管。

优选的，所述MOS管Q14为碳化硅MOS管。

优选的，所述驱动变压器T4的输入绕组与输出绕组同相。

本实用新型相比现有技术具有以下优点及有益效果：